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    On the reaction scheme for Ti/TiN chemical vapor deposition (CVD) process using TiCl4
    MICHIZUKI, Y ; OKAMOTO, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 34 (1995), Heft 3A, S. L326- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The effect of oxidation source gas on epitaxial Al2O3 films on Si
    KIMURA, T ; SENGOKU, A ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 12A, S. 7126-7132
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Improved properties of silicon nitride films prepared by the catalytic chemical vapor deposition method
    OKADA, S ; MATSUMURA, H
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 11, S. 7035-7040
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Raman study of ring structures of chemical vapor deposited SiO2 thin films
    NAKANO, T ; MURA, N ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 34 (1995), Heft 8B, S. L1064- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High-quality, high-rate SiO2 and SiN films formed by 400 kHz bias electron cyclotron resonance-chemical vapor deposition
    FUKUDA, T ; SAITO, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 34 (1995), Heft 7B, S. L937- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Step-coverage characteristics of silicon-dioxide films formed by a new low-temperature chemical-vapor-deposition method
    UCHIDA, Y ; TAKEI, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 8A, S. L993- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Atomically flat 3C-SiC epilayers by low pressure chemical vapor deposition
    ISHIDA, Y ; TAKAHASHI, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 11, S. 6633-6637
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Argon assisted plasma chemical vapour deposition of amorphous silicon carbide films
    PARTHA, C ; UJJWAL KUMAR, D
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 11A, S. L1426- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Film formation by a new chemical vapor deposition process using ionization of tetraethylorthosilicate
    ADACHI, M ; OKUYAMA, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 34 (1995), Heft 9A, S. L1148- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Atomic-layer chemical-vapor-deposition of SiO2 by cyclic exposures of CH3OSi(NCO)3 and H2O2
    MORISHITA, S ; UCHIDA, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 34 (1995), Heft 10, S. 5738-5742
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Step coverage analysis for hexamethyldisiloxane and ozone atmospheric pressure chemical vapor deposition
    FUJINO, K ; EGASHIRA, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 33 (1994), Heft 3B, S. 473-475
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermal properties of various Ta precursors used in chemical vapor deposition of tantalum pentoxide
    KOYAMA, H ; TANIMOTO, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 33 (1994), Heft 11, S. 6291-6298
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Deposition of WSix films from preactivated mixture of WF6/SiH4
    SAITO, T ; SHIMOGAKI, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 33 (1994), Heft 1A, S. 275-279
    academicJournal
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    Effect of incident direction of ArF laser to graphite substrates on the formation of photo-chemical vapor deposition SiC film
    SUZUKI, H ; ARAKI, H ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 32 (1993), Heft 8, S. 3566-3571
    academicJournal
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    Very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition of TiSix/TiN1-xSix barrier films
    MIZUNO, S ; TAGAMI, M ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 9A, S. 5651-5657
    academicJournal
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    Chemical vapor deposition of nickel oxide films from bis-π-cyclopentadienyl-nickel
    YEH, W.-C ; MATSUMURA, M
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 11, S. 6884-6887
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    X-ray diffraction analysis of GaN and GaN/InGaN/GaN double-hetero structures grown on sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition
    SATO, H ; NAOI, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 4A, S. 2018-2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Synthesis and surface acoustic wave properties of AlN thin films fabricated on (001) and (110) sapphire substrates using chemical vapor deposition of AlCl3-NH3 system
    KAYA, K ; TAKABASHI, H ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 5A, S. 2837-2842
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Reduction of double positioning twinning in 3C-SiC grown on α-SiC substrates
    NISHINO, K ; KIMOTO, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 8, S. 5202-5207
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Investigation of precursors formed by mixing SiH2Cl2with NH3 for chemical vapor deposition of silicon nitride films
    KUSAKABE, Y ; HANAOKA, K.-I ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 1A, S. 6-10
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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