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    Linear extended ArcJet-CVD : a new PECVD approach for continuous wide area coating under atmospheric pressure
    HOPFE, Volkmar ; ROGLER, Daniela ; et al.
    In: Atmospheric pressure plasma enhanced CVD (AP-PECVD), Jg. 11 (2005), Heft 11-12, S. 510-522
    Online academicJournal
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    Properties of silicon oxide films deposited by plasma-enhanced CVD using organosilicon reactants and mass analysis in plasma
    INOUE, Y ; TAKAI, O
    In: Proceedings of the 1st Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering, Jg. 341 (1999), Heft 1-2, S. 47-51
    Konferenz
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    Synthesis and characterization of tris(β-ketoiminato)ruthenium(III) complexes: Potential precursors for CVD of Ru and RuO2 thin films
    CHOU, Tsung-Yi ; LAI, Ying-Hui ; et al.
    In: Chemical vapor deposition (Print), Jg. 10 (2004), Heft 3, S. 149-158
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Template-based CVD synthesis of ZnS nanotube arrays
    SHEN, Xiao-Ping ; MIN, HAN ; et al.
    In: Chemical vapor deposition (Print), Jg. 11 (2005), Heft 5, S. 250-253
    Online academicJournal
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    Combinatorial CVD of zirconium, hafnium, and tin dioxide mixtures for applications as high-κ materials
    BIN, XIA ; FANG, CHEN ; et al.
    In: Chemical vapor deposition (Print), Jg. 10 (2004), Heft 4, S. 195-200
    Online academicJournal
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    Growth of thin films of molybdenum and tungsten oxides by combustion CVD using aqueous precursor solutions
    DAVIS, Martin J ; BENITO, Guillermo ; et al.
    In: Chemical vapor deposition (Print), Jg. 10 (2004), Heft 1, S. 29-34
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    CVD of epitaxial SnO2 films by the SnI4/O2precursor combination
    SUNDQVIST, Jonas ; OTTOSSON, Mikael ; et al.
    In: Chemical vapor deposition (Print), Jg. 10 (2004), Heft 2, S. 77-82
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Excited helium-induced CVD of a-Si1-xCx:H films from trimethylchlorosilane
    SMIRNOVA, T. P ; YAKOVKINA, L. V ; et al.
    In: Thin solid films, Jg. 353 (1999), Heft 1-2, S. 79-84
    academicJournal
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    Analysis and modeling of low pressure CVD of silicon nitride from a silane-ammonia mixture. I. Experimental study and determination of a gaseous phase mechanism
    YACOUBI, K ; AZZARO-PANTEL, C ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 146 (1999), Heft 8, S. 3009-3017
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    KrF laser CVD of titanium oxide from titanium tetraisopropoxide
    WATANABE, A ; IMAI, Y
    In: Thin solid films, Jg. 348 (1999), Heft 1-2, S. 63-68
    academicJournal
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    Residence-time dependent kinetics of CVD growth of SiC in the MTS/H2 system
    JOSIEK, A ; LANGLAIS, F
    In: Journal of crystal growth, Jg. 160 (1996), Heft 3-4, S. 253-260
    academicJournal
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    Plasma CVD of ultrathin TiO2 films on powders in a circulating fluidized bed
    MORSTEIN, M ; KARCHES, M ; et al.
    In: Chemical vapor deposition (Print), Jg. 6 (2000), Heft 1, S. 16-20
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Pentamethylcyclopentadienyl disilane as a novel precursor for the CVD of thin silicon films
    KLIPP, A ; HAMELMANN, F ; et al.
    In: Chemical vapor deposition (Print), Jg. 6 (2000), Heft 2, S. 63-66
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    On the CVD of MoSi2 : An experimental study from the MoCl4-SiCl4-H2-Ar precursor with a view to the preparation of C/MoSi2/SiC and SiC/MoSi2/SiC microcomposites
    BOBET, J. L ; VIGNOLES, G ; et al.
    In: Journal of materials science, Jg. 33 (1998), Heft 17, S. 4461-4473
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Silicon nitride film growth by remote plasma CVD using tris(dimethylamino)silane
    AOKI, T ; OGISHIMA, T ; et al.
    In: Selected papers revised from the proceedings of the fourth international symposium on sputtering and plasma processes (ISSP'97), Jg. 51 (1998), Heft 4, S. 747-750
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Analysis and modeling of low pressure CVD of silicon nitride from a silane-ammonia mixture. II. Deposition modeling
    YACOUBI, K ; AZZARO-PANTEL, C ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 146 (1999), Heft 8, S. 3018-3027
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Low-pressure CVD of carbon nitride using triazine-containing precursors
    IVANOV, B. L ; ZAMBOV, L. M ; et al.
    In: Chemical vapor deposition (Print), Jg. 5 (1999), Heft 6, S. 265-273
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Incorporation of a binary alloy in an oxide matrix via single source precursor CVD process
    VEITH, M ; LECERF, N ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 11 (1999), Heft 11, S. 3103-3112
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Effect of CH4 and H2 on CVD of SiC and TiC for possible fabrication of SiC/TiC/C FGM
    JUNG, Y.-G ; PARK, S.-W ; et al.
    In: Materials letters (General ed.), Jg. 30 (1997), Heft 5-6, S. 339-345
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Film properties of CVD titanium nitride deposited with organometallic precursors at low pressure using inert gases, ammonia, or remote activation
    INTEMANN, A ; KOERNER, H ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 140 (1993), Heft 11, S. 3215-3222
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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