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    Incorporation of a binary alloy in an oxide matrix via single source precursor CVD process
    VEITH, M ; LECERF, N ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 11 (1999), Heft 11, S. 3103-3112
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    T8-hydridospherosiloxanes : novel precursors for SiO2 thin films. I: Precursor characterization and preliminary CVD
    NYMAN, M. D ; DESU, S. B ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 5 (1993), Heft 11, S. 1636-1640
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    A novel self-generating liquid MOCVD precursor for Co3O4 thin films
    GULINO, Antonino ; DAPPORTO, Paolo ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 15 (2003), Heft 20, S. 3748-3752
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Chemical vapor deposition of tantalum oxide from tetraethoxo(β-diketonato)tantalum(V) complexes
    POLLARD, K. D ; PUDDEPHATT, R. J
    In: Chemistry of materials, Jg. 11 (1999), Heft 4, S. 1069-1074
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Catalyst-enhanced chemical vapor deposition of yttrium oxide
    YIPING, ZHANG ; PUDDEPHATT, R. J
    In: Chemistry of materials, Jg. 11 (1999), Heft 1, S. 148-153
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    MOCVD growth of gallium sulfide using Di-tert-butyl gallium dithiocarbamate precursors: Formation of a metastable phase of GaS
    KEYS, A ; BOTT, S. G ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 11 (1999), Heft 12, S. 3578-3587
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Metal-organic chemical vapor deposition of indium selenide thin films
    STOLL, S. L ; BARRON, A. R
    In: Chemistry of materials, Jg. 10 (1998), Heft 2, S. 650-657
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Feed-rate-limited aerosol-assisted chemical vapor deposition of CdxZn1-xS and ZnS:Mn with composition control
    NYMAN, M ; JENKINS, K ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 10 (1998), Heft 3, S. 914-921
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Chemical composition of AlN thin films deposited at 523-723 K using dimethylethylamine alane and ammonia
    KIDDER, J. N ; YUN, H. K ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 10 (1998), Heft 3, S. 777-783
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Precursor oxidation state control of film stoichiometry in the metal-organic chemical vapor deposition of tin oxide thin films
    SUH, S ; HOFFMAN, D. M ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 9 (1997), Heft 3, S. 730-735
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    MOCVD of titanium nitride from a new precursor, Ti[N(CH3)C2H5]4
    SHIN, H.-K ; SHIN, H.-J ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 9 (1997), Heft 1, S. 76-80
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Laser and thermal vapor deposition of metal sulfide (NiS, PdS) films and in situ gas-phase luminescence of photofragments from M(S2COCHMe2)2
    CHEON, J ; TALAGA, D. S ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 9 (1997), Heft 5, S. 1208-1212
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Chemical vapor deposition of MoS2 and TiS2 films from the metal-organic precursors Mo(S-t-Bu)4 and Ti(S-t-Bu)4
    CHEON, J ; GOZUM, J. E ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 9 (1997), Heft 8, S. 1847-1853
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Decomposition pathways for a model TiN chemical vapor deposition precursor
    CUNDARI, T. R ; MORSE, J. M
    In: Chemistry of materials, Jg. 8 (1996), Heft 1, S. 189-196
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Precursors for organometallic chemical vapor deposition of tungsten carbide films
    LAI, K. K ; LAMB, H. H
    In: Chemistry of materials, Jg. 7 (1995), Heft 12, S. 2284-2292
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Metal-organic chemical vapor deposition of semiconducting III/VI In2Se3 thin films from the single-source precursor : In[SeC(SiMe3)3]3
    JINWOO, CHEON ; ARNOLD, J ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 7 (1995), Heft 12, S. 2273-2276
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Metal-organic chemical vapor deposition of copper and copper(I) oxide : kinetics and reaction mechanisms in the presence of oxygen
    CONDORELLI, G. G ; MALANDRINO, G ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 7 (1995), Heft 11, S. 2096-2103
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Factors influencing the chemical vapor deposition of oriented ZnO films using zinc acetate
    MAR, G. L ; TIMBRELL, P. Y ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 7 (1995), Heft 10, S. 1890-1896
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Synthesis and characterization of some mixed alkyl thiocarbamates of gallium and indium, precursors for III/VI materials : the X-ray single-crystal structures of dimethyl- and diethylindium diethyldithiocarbamates
    HAGGATA, S. W ; AZAD, MALIK ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 7 (1995), Heft 4, S. 716-724
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    Pyrolysis behavior of titanocene dichloride used as a precursor for the chemical vapor deposition of titanium carbide at atmospheric pressure
    SLIFIRSKI, J ; HUCHET, G ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 7 (1995), Heft 4, S. 622-630
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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