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    The Impact of LCE and PAMDLE Regarding Different CMOS ICs Nodes and High Temperatures
    Salvador Pinillos Gimenez ; Renaux, Christian ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 415-423
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    Random Telegraph Noises in CMOS Image Sensors Caused by Variable Gate-Induced Sense Node Leakage Due to X-Ray Irradiation
    Chih-Lin, Lee ; Wu, Thomas ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 227-238
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    P-Channel and N-Channel Super-Steep Subthreshold Slope PN-Body Tied SOI-FET for Ultralow Power CMOS
    Mori, Takayuki ; Ida, Jiro
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 1213-1219
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    Parasitic Capacitance Analysis of Three-Independent-Gate Field-Effect Transistors
    Gaillardon, Pierre-Emmanuel ; Cadareanu, Patsy ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 400-408
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    Application of a Quantum-Well Silicon NMOS Transistor as a Folding Amplifier Frequency Multiplier
    Lee, Mark ; Cai, Yongda ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017), Heft 3, S. 224-231
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    Analytical Modeling and TCAD Simulation of a Quanta Image Sensor Jot Device With a JFET Source-Follower for Deep Sub-Electron Read Noise
    Ma, Jiaju ; Fossum, Eric R.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017), S. 69-78
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    Nanometer-Scale III-V MOSFETs
    Lin, Jianqiang ; Lu, Wenjie ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 4 (2016), Heft 5, S. 205-214
    Online unknown
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