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    1/f Noise Model for NPN Bipolar Junction Transistors Based on Radiation Effect.
    Zhao, Qifeng ; Zhuang, Yiqi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-08-01), Heft 4a, S. 1682-1688
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    0.25 micrometre smart power technology optimised for wireless and consumer applications.
    Zhu, R. ; Parthasarathy, V. ; et al.
    In: IEE Proceedings -- Circuits, Devices & Systems, Jg. 151 (2004-06-01), Heft 3, S. 198-202
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    BiCMOS-integrated photodiode exploiting drift enhancement.
    Swoboda, Robert ; Schneider-Hornstein, Kerstin ; et al.
    In: Optical Engineering, Jg. 53 (2014-08-01), Heft 8, S. 1-4
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Total Dose Effects on Bipolar Integrated Circuits at Low Temperature.
    Johnston, A. H. ; Swimm, R. T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2995-3003
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    High-Performance RF Mixer and Operational Amplifier BiCMOS Circuits Using Parasitic Vertical Bipolar Transistor in CMOS Technology.
    Nam, Ilku ; Lee, Kwyro
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 40 (2005-02-01), Heft 2, S. 392-402
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A four-quadrant current multiplier/divider cell with four transistors.
    Elwakil, Ahmed ; Maundy, Brent ; et al.
    In: Analog Integrated Circuits & Signal Processing, Jg. 95 (2018-04-01), Heft 1, S. 173-179
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Proton Irradiation as a Screen for Displacement-Damage Sensitivity in Bipolar Junction Transistors.
    Arutt, Charles N. ; Warren, Kevin M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2498-2504
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Holding voltage investigation of advanced SCR-based protection structures for CMOS technology
    Tazzoli, A. ; Marino, F.A. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 47 (2007-09-01), Heft 9-11, S. 1444-1449
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Radiation Response of Bipolar Transistors at Various Irradiation Temperatures and Electric Biases: Modeling and Experiment.
    Zebrev, G. I. ; Pavlov, D. Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-08-01), Heft 4, S. 1981-1987
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Empirical expression for base transit time in bipolar transistors.
    Khan, Z. R. ; Hassan, M. M. S. ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 92 (2005-04-01), Heft 4, S. 215-229
    academicJournal
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    Elevated Temperature Irradiation at High Dose Rate of Commercial Linear Bipolar ICs.
    Boch, J. ; Saigné, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 51 (2004-10-03), Heft 5, S. 2903-2907
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A complementary bipolar technology family with a vertically integrated PNP for high-frequency analog applications.
    Bashir, Rashid ; Hébert, Franc̣ois ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-11-01), Heft 11, S. 2525-2534
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Enhanced Low Dose Rate Sensitivity (ELDRS) in a Voltage Comparator Which Only Utilizes...
    Krieg, J. F. ; Titus, J. L.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 46 (1999-12-01), Heft 6, S. 1616-1619
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A translinear floating current-source with current-control.
    Fabre, A. ; Longuemard, J.P.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 65 (1988-12-01), Heft 6, S. 1137-1142
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Some features of degradation in bipolar transistors at different test conditions for total ionizing dose effect
    Petrov, A.S. ; Ulimov, V.N.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 52 (2012-09-01), Heft 9/10, S. 2435-2437
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Bipolar is not only alive, it's even quite healthy.
    Bindra, Ashok
    In: Electronic Design, Jg. 49 (2001-06-18), Heft 13, S. 54-54
    Online serialPeriodical
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    Package cuts losses for bipolars and mosfets.
    In: Electronics Weekly, 2004-03-10, Heft 2137, S. 22-22
    Online serialPeriodical
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    Silicon, analog processes are becoming more sophisticated.
    Goodenough, Frank
    In: Electronic Design, Jg. 42 (1994-05-02), S. 97
    serialPeriodical
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    Recent advances stretch bipolar/BiCMOS processes.
    Goodenough, Frank
    In: Electronic Design, Jg. 41 (1993-09-16), S. 73
    serialPeriodical
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    “Chipiplexing” efficiently drives multiple LEDs using few microcontroller ports.
    Jaquenod, Guillermo
    In: EDN, Jg. 53 (2008-11-27), Heft 24, S. 59-60
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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