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    Effects of Bias and Temperature on the Dose-Rate Sensitivity of 65-nm CMOS Transistors
    Michelis, Stefano ; Costanzo, Sebastiano ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), S. 573-580
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    Compact Modeling of Single-Event Latchup of Integrated CMOS Circuit
    Ducret, S. ; A. Al Youssef ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), S. 1510-1515
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    Impact of Well Structure on Single-Event Well Potential Modulation in Bulk CMOS
    Ahlbin, J. R. ; Holman, W.T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), S. 2614-2620
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    A Charge-Control SPICE Engineering Model for the Parasitic Bipolar Transistor Action in SOI CMOS Single-Event Upsets
    Liu, H.Y. ; Fulkerson, David E.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 51 (2004-02-01), S. 275-287
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    Development of a radiation hardened NPN bipolar transistor for a 64 K CMOS fusible-link PROM
    Fuller, Robert T. ; Newman, W. H.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 41 (1994-12-01), S. 2474-2480
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    Body tie placement in CMOS/SOI digital circuits for transient radiation environments
    Alles, Michael L. ; Kerns, S.E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 38 (1991-12-01), S. 1259-1264
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    Latchup in CMOS from single particles
    Johnston, A.H. ; Hughlock, B.W.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 37 (1990-12-01), S. 1886-1893
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    An improved standard total dose test for CMOS space electronics
    Riewe, L.C. ; Pease, R.L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 36 (1989-12-01), S. 1963-1970
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    Model for CMOS/SOI single-event vulnerability
    Alles, Michael L. ; Hite, L. R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 36 (1989-12-01), S. 2305-2310
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    Radiation Induced Latch-Up Modeling of CMOS IC's
    Shafer, B. D. ; Hospelhorn, R. L.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 34 (1987), S. 1396-1401
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    Radiation Effects in SiGe Technology
    Cressler, John D.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-06-01), S. 1992-2014
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    Impact of Low Temperatures $({< 125}~{\rm K})$ on the Total Ionizing Dose Response and ELDRS in Gated Lateral PNP BJTs
    Adell, Philippe C. ; Barnaby, Hugh J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), S. 3081-3086
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    Multi-Scale Simulation of Radiation Effects in Electronic Devices
    Schrimpf, Ronald D. ; Warren, Kevin M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-08-01), S. 1891-1902
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    Re-Examining TID Hardness Assurance Test Protocols for SiGe HBTs
    Wilcox, Edward P. ; Cressler, John D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-12-01), S. 3318-3325
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    IHP SiGe:C BiCMOS Technologies as a Suitable Backup Solution for the ATLAS Upgrade Front-End Electronics
    Diez, Sergio ; Lozano, Manuel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-08-01), S. 2449-2456
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    SEU in SOI SRAMs-a static model
    Musseau, O. ; Ferlet-Cavrois, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 41 (1994-06-01), S. 607-612
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    A hardened technology on SOI for analog devices
    Dentan, M. ; Delagnes, Eric ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 39 (1992-06-01), S. 387-390
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    Ionization damage on ATLAS-SCT front-end electronics considering low-dose-rate effects
    Gilchriese, M. G. D. ; Spencer, N. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 49 (2002-06-01), S. 1106-1111
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    Trends in the total-dose response of modern bipolar transistors
    Wei, A. ; Pease, R.L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 39 (1992-12-01), S. 2026-2035
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    Ion Track Shunt Effects in Multi-Junction Structures
    Knudson, Alvin R. ; Campbell, A.B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 32 (1985), S. 4115-4121
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