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    Synergistic effects of NPN transistors caused by combined proton irradiations with different energies.
    Li, Xingji ; Yang, Jianqun ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 82 (2018-03-01), S. 130-135
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    1/f Noise Model for NPN Bipolar Junction Transistors Based on Radiation Effect.
    Zhao, Qifeng ; Zhuang, Yiqi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-08-01), Heft 4a, S. 1682-1688
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Synergistic Effect of Ionization and Displacement Damage in NPN Transistors Caused by Protons With Various Energies.
    Li, Xingji ; Liu, Chaoming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-06-20), Heft 3c, S. 1375-1382
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Research on the Combined Effects of Ionization and Displacement Defects in NPN Transistors Based on Deep Level Transient Spectroscopy.
    Li, Xingji ; Liu, Chaoming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-04-01), Heft 2, S. 555-564
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Evolution of Deep Level Centers in NPN Transistors Following 35 MeV Si Ion Irradiations With High Fluence.
    Li, Xingji ; Liu, Chaoming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-02-20), Heft 1, S. 630-635
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    High Current Gain 4H-SiC NPN Bipolar Junction Transistors.
    Huang, Chih-Fang ; Cooper, James A.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-06-01), Heft 6, S. 396-398
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    1800 V NPN bipolar junction transistors in 4H-SiC.
    Ryu, Sei-Hyung ; Agarwal, Anant K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 22 (2001-03-01), Heft 3, S. 124-126
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Factors limiting the current gain in high-voltage 4H-SiC npn-BJTs.
    Ivanov, Pavel A. ; Levinshtein, Michael E. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 46 (2002-04-01), Heft 4, S. 567-572
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Fast switch-off of high voltage 4H-SiC npn bipolar junction transistor from deep saturation regime.
    Levinshtein, Michael E. ; Ivanov, Pavel A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-03-01), Heft 3, S. 491-493
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A High Current Gain 4H-SiC NPN Power Bipolar Junction Transistor.
    Zhang, Jianhui ; Luo, Yanbin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-05-01), Heft 5, S. 327-329
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    High Gamma Ray Tolerance for 4H-SiC Bipolar Circuits.
    Suvanam, Sethu Saveda ; Kuroki, Shin-Ichiro ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-02-01), Heft 2, S. 852-858
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Proton Irradiation as a Screen for Displacement-Damage Sensitivity in Bipolar Junction Transistors.
    Arutt, Charles N. ; Warren, Kevin M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2498-2504
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Study of improved reverse recovery in power transistor incorporating universal contact.
    Anand, R. S. ; Mazhari, B. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-05-01), Heft 5, S. 655-667
    academicJournal
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    Logic probe uses six transistors.
    Baddi, Raju R.
    In: EDN, Jg. 55 (2010-12-15), Heft 24, S. 46-47
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -