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    Profile control in BF3 plasma doping.
    Kwok, Dixon T. K. ; Chu, Paul K. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 88 (2000-09-15), Heft 6, S. 3198-3201
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    Formation of polycrystalline silicon grains in Si+-preamorphized, BF2+-implanted (111)Si.
    Chu, C. H. ; Chen, L. J.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 65 (1989-05-01), S. 3631-3635
    Online academicJournal
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    High-quality strain-relaxed SiGe alloy grown on implanted silicon-on-insulator substrate.
    Huang, F. Y. ; Chu, M. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 76 (2000-05-08), Heft 19, S. 2680-2682
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Inductive-coupling-nitrogen-plasma process for suppression of boron penetration in BF2+-implanted polycrystalline silicon gate.
    Chao, T. S. ; Chu, C. H.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 70 (1997-01-06), S. 55-56
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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