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    Singular instabilities on LPE GaAs, CVD Si, and MBE InP growth surfaces
    Rode, Daniel L. ; Schumaker, N. E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 30 (1977-01-15), S. 75-78
    Online unknown
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    Effects of low temperature preannealing on ion‐implant assisted intermixing of Si1−xGex/Si quantum wells
    Labrie, Daniel ; Aers, G. C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 69 (1996-12-16), S. 3866-3868
    Online unknown
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    Resistive interlayer for improved performance of thin film silicon solar cells on highly textured substrate
    Billet, Adrian ; Ballif, Christophe ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 96 (2010-02-15), S. 073507-73507
    Online unknown
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    On the surface roughness development of hydrogenated amorphous silicon deposited at low growth rates
    van Racmm René Swaaij ; van de Mcm Richard Sanden ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 95 (2009), Heft 2, S. 021503-21503
    Online unknown
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    Compatibility of polycrystalline silicon gate deposition with HfO2 and Al2O3/HfO2 gate dielectrics
    Roan, D. ; Tobin, Philip J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 81 (2002-08-12), S. 1288-1290
    Online unknown
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    Improvement of the dosimetric properties of chemical-vapor-deposited diamond films by neutron irradiation
    Fenyvesi, András ; Bucciolini, Marta ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 81 (2002-07-08), S. 298-300
    Online unknown
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    Growth of a single freestanding multiwall carbon nanotube on each nanonickel dot
    Klemic, James F. ; Chen, Jia ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 75 (1999-08-23), S. 1086-1088
    Online unknown
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    Selective-area formation of Si microstructures using ultrathin SiO2 mask layers
    Ikuta, Kazuyuki ; Park, J. W. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 74 (1999-02-01), S. 653-655
    Online unknown
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    Growth and doping of Si layers by molecular-jet chemical vapor deposition: Device fabrication
    Eres, Gyula ; Westbrook, R. D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 71 (1997-11-10), S. 2812-2814
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Determination of optical dispersion and film thickness of semiconducting disordered layers by transmission measurements: Application for chemically vapor deposited Si and SnO2 film
    Davazoglou, Dimitris
    In: Applied Physics Letters, Jg. 70 (1997-01-13), S. 246-248
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Origin and suppression of misfit dislocations in heavily boron‐doped (100) silicon wafers
    Lee, Ho-Jun ; Jeon, Young‐Jin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 64 (1994-05-30), S. 2955-2957
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effect of ultraviolet irradiation upon the recombination lifetime of silicon wafers covered with a dielectric film
    Zhong, L. ; Shimura, F. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 63 (1993-08-30), S. 1246-1248
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Total dose radiation hardness of diamond‐based silicon‐on‐insulator structures
    Landstrass, M. I. ; Fleetwood, Daniel M.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 56 (1990-06-04), S. 2316-2318
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    High 5.2 peak-to-valley current ratio in Si/SiGe resonant interband tunnel diodes grown by chemical vapor deposition
    Ramesh, Anisha ; Loo, Roger ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 100 (2012-02-27), S. 092104-92104
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Extremely low surface recombination velocities on crystalline silicon wafers realized by catalytic chemical vapor deposited SiNx/a-Si stacked passivation layers
    Koyama, Koichi ; Matsumura, Hideki ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 97 (2010-08-23), S. 082108-82108
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Silicon photonic crystal cavities at near band-edge wavelengths
    Lim, Hee-Jin ; Nur, Salahuddin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 114 (2019-03-04), S. 091101-91101
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Temperature dependence of the current‐voltage characteristics of metal‐semiconductor field‐effect transistors inn‐type β‐SiC grown via chemical vapor deposition
    Kong, H. S. ; Palmour, John W. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 51 (1987-08-10), S. 442-444
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Rapid fabrication of lightweight ceramic mirrors via chemical vapor deposition
    Goela, Jitendra S. ; Taylor, Raymond L.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 54 (1989-06-19), S. 2512-2514
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Epitaxial growth of Ge on 〈100〉 Si by a simple chemical vapor deposition technique
    Kuech, Thomas F. ; Mäenpää, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 39 (1981-08-01), S. 245-247
    Online unknown
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    Ultra-fine metal gate operated graphene optical intensity modulator
    Hibino, Hiroki ; Warabi, Kaori ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 109 (2016-12-19), S. 251101-251101
    Online unknown
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