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    Long-Term Degradation Behavior of 2.3-$\mu\hbox{m}$ Wavelength Highly Strained InAs/InP MQW-DFB Lasers With a p-/n-InP Buried Heterostructure
    Ishii, H. ; Yoshimura, Ryoko ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-04-01), S. 1056-1062
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    Conduction Mechanisms and Low-Frequency Electrical Noise Studies in pin InGaAs/InAlAs Strained MQW Photodiodes
    Valenza, M. ; Pires, M.P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-09-01), S. 1949-1953
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    Nitride-Based MQW LEDs With Multiple GaN–SiN Nucleation Layers
    Chang, Shoou-Jinn ; Chen, Shi-Ming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-06-01), S. 1104-1109
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    Short optical pulse generated by integrated MQW DBR laser/EA-modulator fabricated by selective-area MOVPE
    Chen, Young-Kai ; Tanbun-Ek, Tawee ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 40 (1993), S. 2118-2119
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    Modulation characteristics of InP-based MQW lasers: the impact of biaxial compressive and tensile strain
    Davis, L. ; Nichols, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 39 (1992), S. 2661-2662
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    Stable CW operation of a MQW laser emitting at 1.54 mu m on a Si substrate at room temperature
    Sakai, Y. ; Tachikawa, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 38 (1991), S. 2692-2692
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    Investigation of DIBS-Deposited CdZnO/ZnO-Based Multiple Quantum Well for Large-Area Photovoltaic Application
    Das, Mangal ; Mukherjee, Shaibal ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-12-01), S. 5587-5592
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    Influence of Thickness of p-InGaN Layer on the Device Physics and Material Qualities of GaN-Based LEDs With p-GaN/ InGaN Heterojunction
    Zhu, Yuhan ; Xiwu, Chen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-12-01), S. 5373-5380
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    Hybrid White Light-Emitting Diodes Utilizing Radiative or Nonradiative Energy Transfer for Wavelength Conversion
    Li, Shugang ; Li, X. M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-11-01), S. 4891-4896
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    Epitaxial Growth of InGaN Multiple-Quantum-Well LEDs With Improved Characteristics and Their Application in Underwater Optical Wireless Communications
    Tsai, Chia-Lung ; Yu, Chih-Min ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-10-01), S. 4346-4352
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    Spatiotemporal Summation and Recognition Effects for a Dual-Emitter Light-Induced Neuromorphic Device
    Zhu, Guixia ; Zhu, Bingcheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018), S. 308-313
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    High-Performance GaN-Based LEDs on Si Substrates: The Utility of Ex Situ Low-Temperature AlN Template With Optimal Thickness
    Li, Guoqiang ; Wang, Wenliang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), S. 4540-4546
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    Planar GaN-Based Blue Light-Emitting Diodes With Surface p-n Junction Formed by Selective-Area Si–Ion Implantation
    Liu, Zi-Yuan ; Yu Hsiang Yeh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), S. 4156-4160
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    Stress Engineering During the Fabrication of InGaN/GaN Vertical Light Emitting Diodes for Reducing the Quantum Confined Stark Effect
    Allsopp, Duncan W. E. ; Ki, Paulo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-12-01), S. 4796-4801
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    GaN-Based UV Light-Emitting Diodes With a Green Indicator Through Selective-Area Photon Recycling
    Chang, Chih-Chiang ; Chen, Fu-Bang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-03-01), S. 1122-1127
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    Analysis of the Thickness Effect of Undoped Electron-Blocking Layer in Ultraviolet LEDs
    Wang, Tzu-Yu ; Wuu, Dong-Sing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-11-01), S. 3790-3795
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    Electrical Polarization Effects on the Optical Polarization Properties of AlGaN Ultraviolet Light-Emitting Diodes
    Chang, Yi-An ; Li, Shan-Rong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-09-01), S. 3233-3238
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    Improved Quantum Efficiency in Semipolar $(1\bar{1}01)$ InGaN/GaN Quantum Wells Grown on GaN Prepared by Lateral Epitaxial Overgrowth
    Chen, Zhong ; Gao, Yulin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-11-01), S. 3753-3759
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    Extraction of Location and Energy Level of the Trap Causing Random Telegraph Noise at Reverse-Biased Region in GaN-Based Light-Emitting Diodes
    Kang, Donghoon ; Shin, Hyungcheol ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-12-01), S. 3495-3502
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    High-Power and High-Efficiency InGaN-Based Light Emitters
    Baur, J. ; Peter, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010), S. 79-87
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