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    Trapping analysis and countermeasure for arsenic auto-doping in 40-nm epitaxial diode arrays and CMOS integration
    Liu, Bo ; Song, Sannian ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 71 (2017-11-01), S. 326-331
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    CMOS- compatible fabrication method of graphene-based micro devices
    Czajka, Ryszard ; El-Ahmar, Semir ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 67 (2017-08-01), S. 92-97
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    Device and circuit performance of Si-based accumulation-mode CGAA CMOS inverter
    Prasanna Kumar Sahu ; Soumya Ranjan Panda ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 66 (2017-08-01), S. 87-91
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    Benefits of XPS nanocharacterization for process development and industrial control of thin SiGe channel layers in advanced CMOS technologies
    Rozé, F. ; Baron, Thierry ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 70 (2017-11-01), S. 105-110
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    Strained-Si n-MOS surface-channel and buried Si0.7Ge0.3 compressively-strained p-MOS fabricated in a 0.25μm heterostructure CMOS process
    Cullis, A. G. ; O'Neill, Anthony ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 8 (2005-02-01), S. 343-346
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    A simple CMOS process compatible high performance parallel-stacked spiral inductor for advanced RF analog circuit applications
    Lin, Chun-Sheng ; Fang, Y. K. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 13 (2010-09-01), S. 189-192
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    Application of Ru-based gate materials for CMOS technology
    Roozeboom, Fred ; Hooker, J.C. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004), S. 271-276
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    Preparation of SrRuO3 films for advanced CMOS metal gates
    Ferrari, S. ; Machajdík, D. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004), S. 265-269
    Online unknown
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    Process integration of infrared-sensitive PIN photodiodes and CMOS transistors in a single-SiGe substrate
    Nebrich, L. ; Bensch, Frank ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 8 (2005-02-01), S. 429-433
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    Performance improvement of CMOS device utilizing poly-Si/HfSiON gate stack and its reliability concern for 65nm technology and beyond
    Kimizuka, Naohiko ; Tsuneki, K. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 9 (2006-12-01), S. 860-869
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    Temperature scaling for 35nm gate length high-performance CMOS
    Horstmann, Manfred ; Greenlaw, D. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004), S. 369-374
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    Jet vapor deposition nitride processing and application to advanced CMOS devices for reduction of gate leakage current and boron penetration
    Khare, M. ; Hartig, M. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 3 (2000-06-01), S. 173-178
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    Epitaxial anatase HfO2 on high-mobility substrate for ultra-scaled CMOS devices
    Wiemer, Claudia ; Fanciulli, Marco ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 11 (2008-10-01), S. 241-244
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    The future of high-K on pure germanium and its importance for Ge CMOS
    Raskin, G. ; Caymax, Matty ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 8 (2005-02-01), S. 203-207
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    Improvement in epitaxial quality of selectively grown Si1−xGex layers with low pattern sensitivity for CMOS applications
    Radamson, Henry H. ; Östling, Mikael ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 8 (2005-02-01), S. 25-30
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    Effects of high in-situ source/drain boron doping in p-FinFETs on physical and device performance characteristics
    Fu, Bianzhu ; Yong, Chloe ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 82 (2018-08-01), S. 9-13
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    Ion implantation of advanced silicon devices: Past, present and future
    Current, Michael I.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 62 (2017-05-01), S. 13-22
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    Metallic Schottky barrier source/drain nanowire transistors using low-temperature microwave annealed nickel, ytterbium, and titanium silicidation
    Chen, Yu-Hsuan ; Huang, Ming-Kun ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 70 (2017-11-01), S. 272-278
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    Ultimate vertical gate-all-around metal–oxide–semiconductor field-effect transistor and its three-dimensional integrated circuits
    Ye, Shujun ; Endoh, Tetsuo ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 134 (2021-11-01), S. 106046-106046
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    Hole mobility in Strained Si/Relaxed SiGe/Si(110) hetero structures studied by gated Hall measurements
    Arimoto, Keisuke ; Namiuchi, Daichi ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 113 (2020-07-01), S. 105052-105052
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