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    A fully linear 5.2 GHz - 5.8 GHz digitally controlled oscillator in 65-nm CMOS technology
    Torkzadeh, Pooya ; Heydarzadeh, Siavash ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 90 (2019-08-01), S. 48-57
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    A 68-nW novel CMOS sub-bandgap voltage reference circuit
    Wang, Zhen ; Lei, Jianming ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 89 (2019-07-01), S. 37-40
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    Cascaded power management unit characterization for TEG-based IoT devices in 65 nm CMOS
    Sanduleanu, Mihai ; Alhawari, Mohammad ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 90 (2019-08-01), S. 285-296
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    Broadband Linearity Enhancement Method for a 1.3 GHz - 2.5 GHz Digitally-Assisted Oscillator in a 55-nm CMOS Technology
    Tang, Zhong ; Yu, Xiaopeng ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 113 (2021-07-01)
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    High performance CMOS level up shifter with full–scale 1.2 V output voltage
    Garcia, Jose C. ; Nooshabadi, Saeid ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 78 (2018-08-01), S. 11-15
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    Smart power management with combined current-feedback low-dropout voltage regulator and switched capacitor DC-DC converter in 180 nm CMOS
    Wang, Jue ; Zeng, Zhuoqu ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 87 (2019-05-01), S. 121-126
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    Total-ionization-dose characterization of a radiation-hardened mixed-signal microcontroller SoC in 180 nm CMOS technology for nanosatellites
    Li, Yang ; Liu, H. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 87 (2019-05-01), S. 65-72
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    A 0.4-V 10-bit 10-KS/s SAR ADC in 0.18 μm CMOS for low energy wireless senor network chip
    Teng Teng Chen ; Jue Ping Cai ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 83 (2019), S. 104-116
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    5-Gb/s linear re-driver in 180 nm CMOS technology
    Margala, Martin ; Comer, Rod J. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 82 (2018-12-01), S. 81-91
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    A new active resistor and its application to a CMOS transconductor
    Rezaei, Farzan
    In: Microelectronics Journal, Jg. 81 (2018-11-01), S. 42-50
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    A compact low loss high isolation DC-45GHz SPST switch in 0.13-μm CMOS process
    Yang, Hong-Qiang ; Gong, Min ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 80 (2018-10-01), S. 1-6
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    Statically triggered 3×VDD-Tolerant ESD detection circuit in a 90-nm low-voltage CMOS process
    Yu, Ningmei ; Liou, Juin J. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 78 (2018-08-01), S. 88-93
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    A CMOS 6–10 GHz impulse radio UWB transmitter based on gated oscillator with switching pulse shaper
    Kwon, Ickjin ; Park, Yangkyu
    In: Microelectronics Journal, Jg. 77 (2018-07-01), S. 1-4
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    Analysis and design of a highly linear CMOS OTA for portable biomedical applications in 90 nm CMOS
    Elamien, Mohamed B. ; Mahmoud, Soliman A.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 70 (2017-12-01), S. 72-80
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    Investigation of negative DIBL effect for ferroelectric-based FETs to improve MOSFETs and CMOS circuits
    Li, Yangyang ; Wu, Zhenhua ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 114 (2021-08-01), S. 105110-105110
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    An ultralow-power CMOS bandgap voltage reference with N+ doped PMOS
    Xi, Feng ; Yubo, Wang ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 114 (2021-08-01), S. 105157-105157
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    0.7 % error rate 3A bidirectional current sensor using high voltage CMOS process
    Lou, Pang-Yen ; Wang, Chua-Chin ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 114 (2021-08-01), S. 105127-105127
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 2.1 ppm/°C, 0.55–2.4 V, 5.6 nW, 235 mV, CMOS-only subthreshold voltage reference
    Duan, Quanzhen ; Meng, Zhen ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 113 (2021-07-01), S. 105060-105060
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    Analysis and modeling of the semi-floating transistor based 1T pixel in CMOS image sensors
    Gao, Jing ; Li, Yi ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 69 (2017-11-01), S. 20-27
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    High-efficiency CMOS rectifier with minimized leakage and threshold cancellation features for low power bio-implants
    Choi, GoangSeog ; Sadeque Reza Khan
    In: Microelectronics Journal, Jg. 66 (2017-08-01), S. 67-75
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