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    Modeling the Characteristics of SOI CMOS Nanotransistors with an Asymmetric Surrounding Gate
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-09-01), S. 324-331
    Online unknown
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    Modeling the Charge Collection from a Track of an Ionizing Particle in Upset Hardened CMOS Trigger Elements
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-11-01), S. 381-393
    Online unknown
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    Investigating the Electrothermal Characteristics of Partially Depleted Submicron SOI CMOS Transistors in an Extended Temperature Range
    Masal’skii, N. V. ; Novoselov, A. S. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020), S. 30-36
    Online unknown
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    Simulation of the Characteristics of Double-Gate Asymmetrically Doped SOI CMOS Nanotransistors
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-07-01), S. 259-267
    Online unknown
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    Simulation of the potential distribution in an inhomogeneously doped workspace of a double-gate SOI CMOS nanotransistor
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017-03-01), S. 139-148
    Online unknown
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    Biosensor Based on Ion-Sensitive Nanowire Field-Effect Transistor Using the Minimum Contact to the Floating Gate
    Rybachek, E. N. ; Gubanova, O. V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-12-01), S. 538-542
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    Simulation of Transients in a Majority Gate upon Switching and Collecting Charge from the Track of a Single Particle
    Katunin, Yu. V. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-09-01), S. 332-344
    Online unknown
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    Logical C-Element on STG DICE Trigger for Asynchronous Digital Devices Resistant to Single Nuclear Particles
    Katunin, Yu. V. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-05-01), S. 143-156
    Online unknown
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    Small-signal optimization approach to design of microwave signal switch ICs on MOS transistors
    Nazarova, G. N. ; Usachev, N. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017-09-01), S. 365-369
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Integration of functional elements of resistive nonvolative memory with 1T-1R topology
    Kiseleva, I. V. ; Zenkevich, Andrei ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 45 (2016-11-01), S. 383-395
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Charge Sensitive Amplifier with Pseudo-differential Output
    Shumikhin, V. ; Atkin, E. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-05-01), S. 206-210
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    TCAD Simulation of Dose Radiation Effects in Sub-100-nm High-κ MOS Transistor Structures
    Popov, D. A. ; Petrosyants, Konstantin O. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-11-01), S. 487-493
    Online unknown
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    Development of design flow for multiported register files, which includes a cell library and a compiler for SOI 0.25-μm process
    Kirichenko, P. G. ; Tarasov, I. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017), S. 66-73
    Online unknown
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xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -