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    Fabrication of AlN templates on SiC substrates by sputtering-deposition and high-temperature annealing
    Uesugi, Kenjiro ; Hayashi, Yusuke ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 510 (2019-03-01), S. 13-17
    Online unknown
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    Growth mechanisms of GaN epitaxial films grown on ex situ low-temperature AlN templates on Si substrates by the combination methods of PLD and MOCVD
    Wang, Haiyan ; Wang, Wenliang ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 718 (2017-09-01), S. 28-35
    Online unknown
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    Effect of SiO2 hexagonal pattern on the crystal and optical properties of epitaxial lateral overgrown semipolar (11-22) GaN film
    Lee, Jae-Hwan ; Lee, Sung-Nam ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 168 (2017), S. 32-36
    Online unknown
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    Crystalline quality improvement of face-to-face annealed MOVPE-grown AlN on vicinal sapphire substrate with sputtered nucleation layer
    Shojiki, Kanako ; Norimatsu, Kenji ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 545 (2020-09-01), S. 125722-125722
    Online unknown
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    A comparative study on the properties of c-plane and a-plane GaN epitaxial films grown on sapphire substrates by pulsed laser deposition
    Yang, Weijia ; Zhu, Yunnong ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 128 (2016-06-01), S. 158-165
    Online unknown
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    Structural properties of GaN layers grown on Al2O3 (0001) and GaN/Al2O3 template by reactive radio-frequency magnetron sputter epitaxy
    Mutsukura, Nobuki ; Shinoda, Hiroyuki
    In: Vacuum, Jg. 125 (2016-03-01), S. 133-140
    Online unknown
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    Crystal quality and surface structure tuning of semi-polar (11–22) GaN on m-plane sapphire via in-situ multiple ammonia treatment
    Supangat, Azzuliani ; Abdullah Haaziq Ahmad Makinudin ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 697 (2020-03-01), S. 137817-137817
    Online unknown
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    395 nm GaN-based near-ultraviolet light-emitting diodes on Si substrates with a high wall-plug efficiency of 520%@350 mA
    Li, Guoqiang ; Xia, Yu ; et al.
    In: Optics Express, Jg. 27 (2019-02-27), S. 7447-7447
    Online unknown
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    Influence of growth temperature on structural and optical properties of laser MBE grown epitaxial thin GaN films on a-plane sapphire
    Tyagi, Prashant ; Ramesh, C. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B, Jg. 36 (2018-07-01), S. 04G102
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Micro X-ray Fluorescence Imaging in a Tabletop Full Field-X-ray Fluorescence Instrument and in a Full Field-Particle Induced X-ray Emission End Station
    Caliri, Claudia ; Cosentino, Luigi ; et al.
    2016
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Growth, thermal properties and laser performance of Er,Pr:Y2.8Sc1Al4.2O12: a promising multi-wavelength laser crystal
    Yin, Shaotang ; Zhenzhen, Ma ; et al.
    In: Applied Physics A, Jg. 127 (2021-06-12)
    Online unknown
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    Fast growth of high quality AlN films on sapphire using a dislocation filtering layer for ultraviolet light-emitting diodes
    Chen, Changqing ; Zhang, Jun ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 21 (2019), S. 4072-4078
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Improved crystal quality of non-polar a-plane GaN epi-layers directly grown on optimized hole-array patterned r-sapphire substrates
    Chen, H. S. ; Jia, Haiqiang ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 21 (2019), S. 2747-2753
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Improvement in the crystal quality of non-polar a-plane GaN directly grown on an SiO2 stripe-patterned r-plane sapphire substrate
    Ma, Ziguang ; Deng, Zhen ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 21 (2019), S. 5124-5128
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    See Deeper: Identifying Crystal Structure from X-ray Diffraction Patterns
    Sharma, Raksha ; Chakraborty, Abhik
    In: 2020 International Conference on Cyberworlds (CW), 2020-09-01
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Impact of crystallinity towards the performance of semi-polar (11–22) GaN UV photodetector
    Supangat, Azzuliani ; Abdullah Haaziq Ahmad Makinudin ; et al.
    In: Materials Letters, Jg. 286 (2021-03-01), S. 129244-129244
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Influence of nitridation process on characteristics of N-polar AlGaN films grown by MOCVD
    Dai, Qian ; Zhang, Xiong ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 64 (2017-06-01), S. 147-151
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Activation and Radioactive Waste Analysis for Survey X-Ray Crystal Spectrometer of ITER
    Subhash, P.V. ; Kumar, Siddharth ; et al.
    In: Fusion Science and Technology, Jg. 71 (2017-02-14), S. 215-224
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Properties of GaN Film Grown on AlN/PSS Template by Hydride Vapor Phase Epitaxy
    Kim, Jin-Ho ; Lee, Hae-Yong ; et al.
    In: Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers, Jg. 29 (2016-06-01), S. 348-352
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Growth of semi-polar (112¯2) GaN on m-plane sapphire via In-Situ Multiple Ammonia Treatment (I-SMAT) method
    Afiq Aizuddin Bin Anuar ; Supangat, Azzuliani ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 174 (2020-04-01), S. 109208-109208
    Online unknown
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