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    Comparative Analysis of Modeling CMOS Majority Gates When Collecting a Charge from Tracks of Single Ionizing Particles
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-07-01), S. 253-263
    Online unknown
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    Design of a K-Band High-Efficiency Power Amplifier in 45 nm SOI CMOS Technology
    Liying, Chen ; Hao, Wang ; et al.
    In: Integrated Ferroelectrics, Jg. 217 (2021-06-13), S. 95-106
    Online unknown
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  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Stress-Released Amorphous Oxide/Carbon Nanotube CMOS Amplifier Circuits for Skin-Compatible Electronics
    Kim, Kyung-Tae ; Nam, Seung-Ji ; et al.
    In: ACS Applied Electronic Materials, Jg. 3 (2021-10-22), S. 4950-4958
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Integrated CMOS Microwave Power Converter for Passive Wireless Devices
    Konoplev, Boris G. ; Sinyukin, A. S.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-05-01), S. 189-196
    Online unknown
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Self-Heating Effect in Submicronic SOI-CMOS Transistors
    Novoselov, A. S. ; Masalsky, N. V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-07-01), S. 278-285
    Online unknown
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Color-Filter-Free Three-Layer-Stacked Image Sensor Using Blue/Green-Selective Organic Photoconductive Films with Thin-Film Transistor Circuits on CMOS Image Sensors
    Tatsuya, Aotake ; Mineo, Keitada ; et al.
    In: ACS Applied Electronic Materials, Jg. 3 (2021-06-18), S. 3085-3095
    Online unknown
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    Modeling of the degradation of CMOS inverters under pulsed stress conditions from ‘on-the-fly’ measurements
    Nafria, M. ; Rodriguez, Rosana ; et al.
    2021
    Online unknown
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    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Modeling the Characteristics of SOI CMOS Nanotransistors with an Asymmetric Surrounding Gate
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-09-01), S. 324-331
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Modeling the Charge Collection from a Track of an Ionizing Particle in Upset Hardened CMOS Trigger Elements
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-11-01), S. 381-393
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Mechanisms for enhancement of sensing performance in CMOS ISFET arrays using reactive ion etching
    Moser, Nicolas ; Georgiou, Pantelis ; et al.
    In: Sensors and Actuators B: Chemical, Jg. 292 (2019-08-01), S. 297-307
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    CMOS back-end-of-line compatible ferroelectric tunnel junction devices
    Holzer, Marco ; Dubourdieu, Catherine ; et al.
    2021
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Investigating the Electrothermal Characteristics of Partially Depleted Submicron SOI CMOS Transistors in an Extended Temperature Range
    Masal’skii, N. V. ; Novoselov, A. S. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020), S. 30-36
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Inter-Device Radiation-Induced Leakages in the Bulk 180-nm CMOS Technology
    Kobylyatskii, A. V. ; Boruzdina, Anna B. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-07-01), S. 268-272
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Experimental Investigation of Pulsed Laser Deposition of Ferroelectric Gd:HfO2 in a CMOS BEOL Compatible Process
    Ionescu, Adrian M. ; Cavalieri, Matteo ; et al.
    In: ACS Applied Electronic Materials, Jg. 2 (2020-05-29), S. 1752-1758
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Realization of Large Area Co20Fe60B20-Based Perpendicular Magnetic Tunnel Junction for CMOS Compatible Device Application
    Lone, Aijaz H. ; Moinuddin, Mohamad G. ; et al.
    In: ACS Applied Electronic Materials, Jg. 1 (2019-10-25), S. 2268-2278
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Doping induced performance enhancement in inverted small molecule organic photodiodes operating below 1V reverse bias - Towards compatibility with CMOS for imaging applications
    Vaynzof, Yana ; Becky, Lavi ; et al.
    In: Organic Electronics, Jg. 67 (2019-04-01), S. 1-9
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A macro model of RF Schottky diode in 22-nm CMOS and its application
    Jiang, Yanfeng ; Yu, Pingping ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 154 (2019-04-01), S. 7-11
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Cryogenic characterization and modeling of a CMOS floating-gate device for quantum control hardware
    Prati, Enrico ; Ferrari, Giorgio ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 189 (2022-03-01), S. 108190-108190
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Simulation of the Characteristics of Double-Gate Asymmetrically Doped SOI CMOS Nanotransistors
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-07-01), S. 259-267
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Indirect Avalanche Event Detection of Single Photon Avalanche Diode Implemented in CMOS FDSOI Technology
    Calmon, Francis ; Issartel, Dylan ; et al.
    2020
    Online unknown
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