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    Development of a simulator for analyzing some performance parameters of nanoscale strained silicon MOSFET-based CMOS inverters
    Das, Mukul K. ; Kumari, Amrita ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 55 (2016-09-01), S. 8-18
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    Parameter variation aware hybrid TFET-CMOS based power gating technique with a temperature variation tolerant sleep mode
    Mishra, Abhishek ; Jha, Kamal K. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 45 (2014-11-01), S. 1515-1521
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    High-speed reduced-leakage SRAM memory cell design techniques for low-power 65 nm FD-SOI/SON CMOS technology
    Subir Kumar Sarkar ; Saha, Deepon
    In: Microelectronics Journal, Jg. 45 (2014-07-01), S. 848-856
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    Low-power area-efficient wide-range robust CMOS temperature sensors
    Syed Arsalan Jawed ; Ahmed, Moaaz ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 44 (2013-02-01), S. 119-127
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    A DC offset and CMRR analysis in a CMOS 0.35μm operational transconductance amplifier using Pelgrom's area/accuracy tradeoff
    Brito, Juan P. ; Bampi, Sergio
    In: Microelectronics Journal, Jg. 40 (2009-09-01), S. 1281-1292
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    Nanosculpture: Three-dimensional CMOS device structures for the ULSI era
    Jong Pil Kim ; Cho, Seongjae ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 40 (2009-04-01), S. 769-772
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    Potential and problems of high-temperature electronics and CMOS integrated circuits (25–250°C) - an overview
    Shoucair, F.S.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 22 (1991-04-01), S. 39-54
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    A process and temperature compensated current reference circuit in CMOS process
    Maryam Shojaei Baghini ; Sharma, Dinesh K. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 43 (2012-02-01), S. 89-97
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    TCAD study on gate-all-around cylindrical (GAAC) transistor for CMOS scaling to the end of the roadmap
    Yu, Yuehui ; Xiao, Deyuan ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 40 (2009-12-01), S. 1766-1771
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    Scattering-limited and ballistic transport in a nano-CMOS circuit
    Arora, Vijay K. ; Ismail, Razali ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 40 (2009-03-01), S. 581-583
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    A review on emerging negative capacitance field effect transistor for low power electronics
    Abhishek Kumar Upadhyay ; Shiromani Balmukund Rahi ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 116 (2021-10-01), S. 105242-105242
    Online unknown
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    A 0.5-V-supply, 37.8-nW, 17.6-ppm/°C switched-capacitor bandgap reference with second-order curvature compensation
    Li, Bin ; Zhaoquan, Chen ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 87 (2019-05-01), S. 136-143
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    First integration of MOSFET band-to-band-tunneling current in BSIM4
    Nenzi, Paolo ; Olivieri, Mauro ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 44 (2013), S. 26-32
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    Multi-objective genetic algorithms based approach to optimize the electrical performances of the gate stack double gate (GSDG) MOSFET
    Bendib, T. ; Djeffal, Fayçal
    In: Microelectronics Journal, Jg. 42 (2011-05-01), S. 661-666
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    Gated hybrid Hall effect device on silicon
    Porod, Wolfgang ; Carter, Nicholas P. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 36 (2005-03-01), S. 294-297
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    The potential of Fe-FET for robust design under variations: A compact modeling study
    Wang, Chi-Chao ; Cao, Yu ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 43 (2012-11-01), S. 898-903
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    Impact of technology scaling on thermal behavior of leakage current in sub-quarter micron MOSFETs: perspective of low temperature current testing
    Semenov, O. ; Vassighi, A. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 33 (2002-11-01), S. 985-994
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    Design and performance analysis of cylindrical surrounding double-gate MOSFET for RF switch
    Singh, Ghanshyam ; Srivastava, Viranjay M. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 42 (2011-10-01), S. 1124-1135
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    A novel current reference based on subthreshold MOSFETs with high PSRR
    Guoyi, Yu ; Xuecheng, Zou
    In: Microelectronics Journal, Jg. 39 (2008-12-01), S. 1874-1879
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    Design of adaptive supply voltage for sub-threshold logic based on sub-1V bandgap reference circuit
    Teh, Ying-Khai ; Mamun Bin Ibne Reaz ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 39 (2008), S. 24-29
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