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    Active devices under CMOS I/O pads
    Chou, Kuo-Yu ; Chen, Ming-Jer ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-12-01), Heft 12, S. 2279-2287
    Online academicJournal
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    Submicron CMOS technologies for low-noise analog front-end circuits
    Manghisoni, M. ; Ratti, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 49 (2002-08-01), Heft 4, S. 1783-1790
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Random telegraph signals in a radiation-hardened CMOS active pixel sensor
    Bogaerts, J. ; Dierickx, B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 49 (2002-02-01), Heft 1, S. 249-257
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A loadless CMOS four-transistor SRAM cell in a 0.18-Mum logic technology
    Matsui, Koujirou ; Takeda, Koichi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-12-01), Heft 12, S. 2851-2855
    Online academicJournal
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    High performance 35nm gate length CMOS with NO oxynitride gate dielectric and Ni salicide
    Inaba, Satoshi ; Okano, Kimitoshi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-12-01), Heft 12, S. 2263-2270
    Online academicJournal
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    A study of stress-induced p+/n salicided junction leakage failure and optimized process condition for sub-0.15-(mu)m CMOS technology
    Lee, Joo-Hyoung ; Park, Sung-Hyung ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-11-01), Heft 11, S. 1985-1992
    Online academicJournal
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    Advanced source/drain engineering for box-shaped ultrashallow junction formation using laser annealing and pre-amorphization implantation in sub-100-nm SOI CMOS
    Kim, Seong-Dong ; Park, Cheol-Min ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-10-01), Heft 10, S. 1748-1754
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Ultrathin gate oxide CMOS on (111) surface-oriented Si substrate
    Momose, Hisayo Sasaki ; Ohguro, Tatsuya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-09-01), Heft 9, S. 1597-1605
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    CMOS photodiode with enhanced responsivity for the UV/blue spectral range
    Ghazi, Ayman ; Zimmermann, Horst ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-07-01), Heft 7, S. 1124-1128
    Online academicJournal
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    Advanced model and analysis of series resistance for CMOS scaling into nanometer regime-Part II: quantitative analysis
    Kim, Seong-Dong ; Park, Cheol-Min ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-03-01), Heft 3, S. 467-472
    Online academicJournal
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    On the SiO2-based gate-dielectric scaling limit for low standby power applications in the context of a 0.13 micrometer CMOS logic technology
    Lin, Yo-Sheng ; Liaw, Jung-Jih ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-03-01), Heft 3, S. 442-448
    Online academicJournal
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    Low-noise silicon avalanche photodiodes fabricated in conventional CMOS technologies
    Rochas, Alexis ; Pauchard, Alexandre R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-03-01), Heft 3, S. 387-394
    Online academicJournal
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    Threshold voltage roll-up/roll-off characteristic control in sub-0.2-mu m single workfunction gate CMOS for high-performance DRAM applications
    Inaba, Satoshi ; Katsumata, Ryota ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-02-01), Heft 2, S. 308-313
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Ultralow resistance W/Poly-Si Gate CMOS technology using amorphous-Si/TiN buffer layer
    Wakabayashi, Hitoshi ; Yamamoto, Toyoji ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-02-01), Heft 2, S. 295-300
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    On the performance advantage of PD/SOI CMOS with floating bodies
    Pelella, Mario M. ; Fossum, Jerry G.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002), Heft 1, S. 96-104
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Sub-50-nm physical gate length CMOS technology and beyond using steep halo
    Wakabayashi, Hitosho ; Matsuda, Tomoko ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002), Heft 1, S. 89-95
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Arsenic/phosphorus LDD optimization by taking advantage of phosphorus transient enhanced diffusion for high voltage input/output CMOS devices
    Howard Chih-Hao Wang ; Wang, Chih-Chiang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002), Heft 1, S. 67-71
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    Design on the low-capacitance bond pad for high-frequency I/O circuits in CMOS technology
    Ker, Ming-Dou ; Jiang, Hsin-Chin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-12-01), Heft 12, S. 2953-2956
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    Performance analysis of a color CMOS photogate image sensor
    Blanksby, Andrew J. ; Loinaz, Marc J.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 47 (2000), Heft 1, S. 55-64
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Recoiled-oxygen free processing for 1.5 nm SiON gate-dielectric in sub-100-nm CMOS technology
    Togo, Mitsuhiro ; Kimura, Shigeru ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-07-01), Heft 7, S. 1165-1171
    Online academicJournal
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