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    Comparative Analysis of Modeling CMOS Majority Gates When Collecting a Charge from Tracks of Single Ionizing Particles
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-07-01), S. 253-263
    Online unknown
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    Integrated CMOS Microwave Power Converter for Passive Wireless Devices
    Konoplev, Boris G. ; Sinyukin, A. S.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-05-01), S. 189-196
    Online unknown
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    Self-Heating Effect in Submicronic SOI-CMOS Transistors
    Novoselov, A. S. ; Masalsky, N. V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-07-01), S. 278-285
    Online unknown
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    Modeling the Characteristics of SOI CMOS Nanotransistors with an Asymmetric Surrounding Gate
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-09-01), S. 324-331
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    Modeling the Charge Collection from a Track of an Ionizing Particle in Upset Hardened CMOS Trigger Elements
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-11-01), S. 381-393
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    Investigating the Electrothermal Characteristics of Partially Depleted Submicron SOI CMOS Transistors in an Extended Temperature Range
    Masal’skii, N. V. ; Novoselov, A. S. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020), S. 30-36
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    Inter-Device Radiation-Induced Leakages in the Bulk 180-nm CMOS Technology
    Kobylyatskii, A. V. ; Boruzdina, Anna B. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-07-01), S. 268-272
    Online unknown
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    Simulation of the Characteristics of Double-Gate Asymmetrically Doped SOI CMOS Nanotransistors
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-07-01), S. 259-267
    Online unknown
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    Investigating the Dynamic Characteristics of High-Temperature SOI CMOS VLSIC Elements
    Ignatov, P. V. ; Shelepin, N. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-05-01), S. 197-200
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    A System for Logical Design of Custom CMOS VLSI Functional Blocks with Reduced Power Consumption
    Kardash, S. N. ; Yu. Yu. Lankevich ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018), S. 65-81
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Simulation of the potential distribution in an inhomogeneously doped workspace of a double-gate SOI CMOS nanotransistor
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017-03-01), S. 139-148
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    320 × 240 CMOS array for the spectral range of 3–5 μm based on PtSi photodiodes
    A. Yu. Nikiforov ; Belin, A. M. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 45 (2016-12-01), S. 474-477
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    Basic memory elements using DICE cells for fault-tolerant 28 nm CMOS RAM
    Stepanov, Pavel ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-11-01), S. 368-379
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    An analysis of the temperature effect on the impulse electric strength of CMOS chips
    Skorobogatov, P. K. ; Epifantsev, K. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015), S. 40-43
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    Evaluation of sensitivity parameters for single event latchup effect in CMOS LSI ICs by pulsed laser backside irradiation tests
    Mavritskii, O. B. ; Chumakov, Alexander I. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015), S. 33-39
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    Electrothermal behavior of the elements of SOS CMOS chips
    Skorobogatov, P. K. ; Gerasimchuk, O. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 40 (2011-05-01), S. 215-224
    Online unknown
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    Simulation of the local effect of nuclear particles on 65-nm CMOS DICE memory cells
    V. Ya. Stenin ; Stepanov, P. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 41 (2012-07-01), S. 231-238
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Optimization of parameters of double-gate sub-20 nanometers SOI CMOS transistors with architecture 'without overlapping'
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 41 (2012), S. 51-58
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Evaluation of resistance of CMOS LSIC to the factor of absorbed dose under the pulsed radiation effect
    Sogoyan, A. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 40 (2011-05-01), S. 185-193
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    Features of design of submicron CMOS of Static RAMs with an increased failure resistance to the effect of high-energy particles
    Cherkasov, I. G. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 39 (2010-03-01), S. 79-90
    Online unknown
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