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    Design for High Reliability of CMOS IC With Tolerance on Total Ionizing Dose Effect
    Lee, Minwoong ; Lee, Nam-Ho ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 20 (2020-06-01), S. 459-467
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    Total Dose Effects on Voltage References in 130-nm CMOS Technology
    Rosseto, Allan ; Bampi, Sergio ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 18 (2018-03-01), S. 27-36
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    Modeling and Understanding of External Latchup in CMOS Technologies—Part II: Minority Carrier Collection Efficiency
    Farbiz, Farzan ; Rosenbaum, Elyse
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 11 (2011-09-01), S. 426-432
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    Theoretical Foundation for Upsets in CMOS Circuits Due to High-Power Electromagnetic Interference
    Iliadis, Agis A. ; Kim, Kyechong
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 10 (2010-09-01), S. 347-352
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    Single-Event Transient Measurements in nMOS and pMOS Transistors in a 65-nm Bulk CMOS Technology at Elevated Temperatures
    Schrimpf, Ronald D. ; Massengill, Lloyd W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 11 (2011-03-01), S. 179-186
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    Impact of SOI Thickness on FUSI-Gate CESL CMOS Performance and Reliability
    Yeh, Wen-Kuan ; Chen, Kun-Ming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 11 (2011-03-01), S. 44-49
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    The Impact of Drift Implant and Layout Parameters on ESD Robustness for On-Chip ESD Protection Devices in 40-V CMOS Technology
    Ker, Ming-Dou ; Chang, Wei-Jen
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 7 (2007-06-01), S. 324-332
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    Gate-Induced-Drain-Leakage Current in 45-nm CMOS Technology
    Ahlgren, David C. ; Liang, Chu-Hsin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 8 (2008-09-01), S. 501-508
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    Shielded channel double-gate MOSFET: a novel device for reliable nanoscale CMOS applications
    Mamidala Jagadesh Kumar ; Orouji, Ali A.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 5 (2005-09-01), S. 509-514
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    Compact Modeling and Simulation of Circuit Reliability for 65-nm CMOS Technology
    Wang, Wenping ; Krishnan, Anand T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 7 (2007-12-01), S. 509-517
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    Impact of Scaling on the High Current Behavior of RF CMOS Technology
    Reddy, Vijay ; Boselli, Gianluca ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 4 (2004-09-01), S. 542-548
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    Investigation of the gate-driven effect and substrate-triggered effect on ESD robustness of CMOS devices
    Ker, Ming-Dou ; Chen, Tung-Yang
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 1 (2001), S. 190-203
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    NMOSFET ESD self-protection strategy and underlying failure mechanism in advanced 0.13-μm CMOS technology
    Salman, Akram A. ; Putnam, Christopher S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 2 (2002-03-01), S. 2-8
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    Hot carrier degradation and ESD in submicrometer CMOS technologies: how do they interact?
    Groeseneken, Guido
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 1 (2001-03-01), S. 23-32
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    Impact of Inner Pickup on ESD Robustness of Multifinger MOSFET in 28-nm High- <tex-math notation='LaTeX'>$k$</tex-math>/Metal Gate CMOS Process
    Chang, Rong-Kun ; Lin, Chun-Yu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 15 (2015-12-01), S. 633-636
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    Foreword for the Special Issue on Active MOSFET Clamps for ESD Protection of Advanced CMOS Technologies
    Boselli, Gianluca
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 15 (2015-09-01), S. 262-262
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    Simulation Study of the Single-Event Effects Sensitivity in Nanoscale CMOS for Body-Biasing Circuits
    Guo, Changguo ; Chen, Shuming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 14 (2014-06-01), S. 639-644
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    Using the Octagonal Layout Style for MOSFETs to Boost the Device Matching in Ionizing Radiation Environments
    Simoen, Eddy ; Vinicius Vono Peruzzi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 20 (2020-12-01), S. 754-759
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    Effect of Device Dimensions, Layout and Pre-Gate Carbon Implant on Hot Carrier Induced Degradation in HKMG nMOS Transistors
    V. Ramgopal Rao ; Duhan, Pardeep ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 20 (2020-09-01), S. 555-561
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    Area-Efficient On-Chip Transient Detection Circuit for System-Level ESD Protection Against Transient-Induced Malfunction
    Ker, Ming-Dou ; Chen, Wen-Chieh
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 19 (2019-06-01), S. 363-369
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