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    Engineering buried oxide in dopant-segregated Schottky barrier SOI MOSFET for nanoscale CMOS circuits
    PATIL, Ganesh C ; QURESHI, S
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 53 (2013), Heft 3, S. 349-355
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Sub-band structure engineering for advanced CMOS channels
    TAKAGI, Shin-Ichi ; MIZUNO, T ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 49 (2005), Heft 5, S. 684-694
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Control of threshold-voltage and short-channel effects in ultrathin strained-SOI CMOS devices
    NUMATA, Toshinori ; MIZUNO, Tomohisa ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 8, S. 1780-1786
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Effects of Substrate Orientation and Channel Stress on Short-Channel Thin SOI MOSFETs
    MAJUMDAR, Amian ; OUYANG, Christine ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 57 (2010), Heft 9, S. 2067-2072
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Epitaxial Germanium on SOI Substrate and Its Application of Fabricating High ION/IOFF Ratio Ge FinFETs
    CHUNG, Cheng-Ting ; CHEN, Che-Wei ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 6, S. 1878-1883
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Monte carlo simulation of p- and n-channel GOI MOSFETs by solving the quantum boltzmann equation
    GANG, DU ; XIAOYAN, LIU ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 10, S. 2258-2264
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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