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    CVD in stagnation point flow: an evaluation of the classical 1D treatment
    HOUTMAN, C ; GRAVES, D. B ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 133 (1986), Heft 5, S. 961-970
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low temperature silicon epitaxy deposited by very low pressure chemical vapor deposition. III: Pattern transfer
    DONAHUE, T. J ; REIF, R
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 133 (1986), Heft 8, S. 1701-1705
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low temperature silicon epitaxy deposited by very low pressure chemical vapor deposition. I: Kinetics
    DONAHUE, T. J ; REIF, R
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 133 (1986), Heft 8, S. 1691-1697
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Low temperature silicon epitaxy deposited by very low pressure chemical vapor deposition. II: Autodoping
    DONAHUE, T. J ; REIF, R
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 133 (1986), Heft 8, S. 1697-1701
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermodynamic comparison of InGaAsP vapor phase epitaxy by chloride, hydride, and metalorganic-chloride methods
    YOSHIDA, M ; WATANABE, H
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 132 (1985), Heft 7, S. 1733-1740
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Si epitaxial growth of extremely uniform layers by a controlled supplemental gas adding system
    SUZUKI, T ; INOUE, Y ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 132 (1985), Heft 6, S. 1480-1487
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Selective growth of polysilicon
    FURUMURA, Y ; MIENO, F ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 133 (1986), Heft 2, S. 379-383
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A comparison between silicon nitride films made by PCVD of N2-SiH4/Ar and N2-SiH4/He
    ALLAERT, K ; VAN CALSTER, A ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 132 (1985), Heft 7, S. 1763-1766
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Silicon nitride from organosilazane cyclic and linear prepolymers
    ARKLES, B
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 133 (1986), Heft 1, S. 233-234
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Preparation of thin (0.6 μm) continuous monocrystalline silicon over SiO2
    JASTRZEBSKI, L ; CORBOY, J. P ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 132 (1985), Heft 12, S. 3056-3057
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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