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    Ring oscillators for CMOS process tuning and variability control
    BHUSHAN, Manjul ; GATTIKER, Anne ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 19 (2006), Heft 1, S. 10-18
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Materials and device structures for sub-32 nm CMOS nodes
    SKOTNICKI, Thomas
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 1845-1852
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Insights on Design and Scalability of Thin-BOX FD/SOI CMOS
    CHOUKSEY, Siddharth ; FOSSUM, Jerry G ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 57 (2010), Heft 9, S. 2073-2079
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Comprehensive and Accurate Parasitic Capacitance Models for Two- and Three-Dimensional CMOS Device Structures
    LACORD, Joris ; GHIBAUDO, Gérard ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 59 (2012), Heft 5, S. 1332-1344
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Innovative Materials, Devices, and CMOS Technologies for Low-Power Mobile Multimedia : Device technologies and circuit techniques for power management
    SKOTNICKI, Thomas ; FENOUILLET-BERANGER, Claire ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 55 (2008), Heft 1, S. 96-130
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A High-Speed Low-Power Multi-VDD CMOS/SIMOX SRAM With LV-TTL Level Input/Output Pins-Write/Read Assist Techniques for 1-V Operated Memory Cells
    SHIBATA, Nobutaro ; WATANABE, Mayumi ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 45 (2010), Heft 9, S. 1856-1869
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Modeling and significance of fringe capacitance in nonclassical CMOS devices with gate-source/drain underlap
    KIM, Seung-Hwan ; FOSSUM, Jerry G ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 53 (2006), Heft 9, S. 2143-2150
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Nanoscale CMOS: potential nonclassical technologies versus a hypothetical bulk-silicon technology
    KIM, Seung-Hwan ; FOSSUM, Jerry G
    In: Solid-state electronics, Jg. 49 (2005), Heft 4, S. 595-605
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Low-voltage scaling limitations for nano-scale CMOS LSIs
    ITOH, Kiyoo ; HORIGUCHI, Masashi
    In: Special Issue with Papers Selected from the Ultimate Integration on Silicon Conference, Ulis 2008, Jg. 53 (2009), Heft 4, S. 402-410
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High-k/Metal-Gate Fully Depleted SOI CMOS With Single-Silicide Schottky Source/Drain With Sub-30-nm Gate Length
    KHATER, Marwan H ; ZHEN, ZHANG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 4, S. 275-277
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Nanoscale FD/SOI CMOS: Thick or thin box?
    TRIVEDI, V. P ; FOSSUM, J. G
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 1, S. 26-28
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Novel approach to reduce source/drain series and contact resistance in high-performance UTSOI CMOS devices using selective electrodeless CoWP or CoB process
    PAN, James ; TOPOL, Anna ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 8, S. 691-693
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Some issues of hot-carrier degradation and negative bias temperature instability of advanced SOI CMOS transistors
    IOANNOU, D. P ; IOANNOU, D. E
    In: EUROSOI'06 Conference. Selected papers, Jg. 51 (2007), Heft 2, S. 268-277
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Strained Si/SiGe channels: A new performance advantage for PD/SOI CMOS
    WEIMIN, ZHANG ; FOSSUM, Jerry G
    In: Silicon-on-insulator technology and devices XI (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 349-354
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Silicon on depletion layer FET (SODEL FET) for sub-50 nm high performance CMOS applications: Novel channel and S/D profile engineering schemes by selective Si epitaxial growth technology
    INABA, S ; MIYANO, K ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 659-662
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A compact QM-based mobility model for nanoscale ultra-thin-body CMOS devices
    TRIVEDI, V. P ; FOSSUM, J. G ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 763-766
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    High performance and highly reliable novel CMOS devices using accumulation mode multi-gate and fully depleted SOI MOSFETs
    CHENG, W ; TERAMOTO, A ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2105-2108
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    50-nm fully depleted SOI CMOS technology with HfO2 gate dielectric and TiN gate
    VANDOOREN, Anne ; EGLEY, S ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 2 (2003), Heft 4, S. 324-328
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Adaptive Circuits for the 0.5-V Nanoscale CMOS Era : Circuits and Design Techniques for Advanced Large Scale Integration
    ITOH, Kiyoo ; YAMAOKA, Masanao ; et al.
    In: IEICE transactions on electronics, Jg. 93 (2010), Heft 3, S. 216-233
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Tunable work function molybdenum gate technology for FDSOI-CMOS
    RANADE, Pushkar ; CHOI, Yang-Kyu ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 363-366
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
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