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    A novel thermal switch and variable capacitance implement by CMOS MEMS process approaching in micro electrostatic converter
    Chiou, Jin-Chern ; Lei Chun Chou ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 77 (2012-11-01), S. 56-63
    Online unknown
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    Integration of sputtered silicon microstructures with pre-fabricated CMOS circuitry
    Kovacs, Gregory T. A. ; Honer, Kenneth A.
    In: Sensors and Actuators A: Physical, Jg. 91 (2001-07-01), S. 386-397
    Online unknown
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    Integration and packaging technology of MEMS-on-CMOS capacitive tactile sensor for robot application using thick BCB isolation layer and backside-grooved electrical connection
    Tanaka, Shuji ; Nakayama, Takahiro ; et al.
    In: Sensors and Actuators A: Physical, Jg. 188 (2012-12-01), S. 103-110
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Micromechanics compatible with an 0.8 μm CMOS process
    Klose, H. ; Biebl, Markus ; et al.
    In: Sensors and Actuators A: Physical, Jg. 47 (1995-03-01), S. 593-597
    Online unknown
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    Quad-seesaw-electrode type 3-axis tactile sensor with low nonlinearities and low cross-axis sensitivities
    Omura, Yoshiteru ; Hata, Yoshiyuki ; et al.
    In: Sensors and Actuators A: Physical, Jg. 266 (2017-10-01), S. 24-35
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    The potential of Fe-FET for robust design under variations: A compact modeling study
    Wang, Chi-Chao ; Cao, Yu ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 43 (2012-11-01), S. 898-903
    Online unknown
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Experimental study of the spatially-modulated light detector
    Pan, Wei ; Coppee, Daniel ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 43 (1999-03-01), S. 609-613
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Performance comparison of channel engineered deep sub-micrometer pseudo SOI n-MOSFETs
    Chandan Kumar Sarkar ; Sarkar, Partha ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 47 (2007-06-01), S. 953-958
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Threshold shift of p-channel transistors by boron implantation and the C-V characteristics of the corresponding mos structures
    Fang, R.C.Y.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 26 (1983), S. 25-32
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Dielectric isolation techniques for integrated circuits
    Bosnell, J.R.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 15 (1976), S. 113-122
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Symmetrical and decoupled nickel microgyroscope on insulating substrate
    Akin, Tayfun ; Said Emre Alper
    In: Sensors and Actuators A: Physical, Jg. 115 (2004-09-01), S. 336-350
    Online unknown
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