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    11-bit Column-Parallel Single-Slope ADC With First-Step Half-Reference Ramping Scheme for High-Speed CMOS Image Sensors.
    Kim, Hyeon-June
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021-07-01), Heft 7, S. 2132-2141
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    A 16 MHz CMOS RC Frequency Reference With ±90 ppm Inaccuracy From −45 °C to 85 °C.
    Gurleyuk, Cagri ; Pan, Sining ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 57 (2022-08-01), Heft 8, S. 2429-2437
    Online academicJournal
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    High Efficiency D -Band Multiway Power Combined Amplifiers With 17.5–19-dBm Psat and 14.2–12.1% Peak PAE in 45-nm CMOS RFSOI.
    Li, Siwei ; Rebeiz, Gabriel M.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 57 (2022-05-01), Heft 5, S. 1332-1343
    Online academicJournal
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    A 40-GHz Mirrored-Cascode Differential Transimpedance Amplifier in 65-nm CMOS.
    Kim, Sang Gyun ; Hong, Chaerin ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019-05-01), Heft 5, S. 1468-1474
    Online academicJournal
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    A 16-bit 16-MS/s SAR ADC With On-Chip Calibration in 55-nm CMOS.
    Shen, Junhua ; Shikata, Akira ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 53 (2018-04-01), Heft 4, S. 1149-1160
    Online academicJournal
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    A 108-nW 0.8-mm 2 Analog Voice Activity Detector Featuring a Time-Domain CNN With Sparsity-Aware Computation and Sparsified Quantization in 28-nm CMOS.
    Chen, Feifei ; Un, Ka-Fai ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 57 (2022-11-01), Heft 11, S. 3288-3297
    Online academicJournal
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    A 24–72-GS/s 8-b Time-Interleaved SAR ADC With 2.0–3.3-pJ/Conversion and >30 dB SNDR at Nyquist in 14-nm CMOS FinFET.
    Kull, Lukas ; Luu, Danny ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 53 (2018-12-01), Heft 12, S. 3508-3516
    Online academicJournal
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    A 1.17-Megapixel CMOS Image Sensor With 1.5 A/D Conversions per Digital CDS Pixel Readout and Four In-Pixel Gain Steps.
    Janbu, Oyvind ; Johansson, Robert ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019-09-01), Heft 9, S. 2568-2578
    Online academicJournal
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    A Highly Linear Dual-Band Mixed-Mode Polar Power Amplifier in CMOS with An Ultra-Compact Output Network.
    Park, Jong Seok ; Hu, Song ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 51 (2016-08-01), Heft 8, S. 1756-1770
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    A 5.2 Gb/s Receiver for Next-Generation 8K Displays in 180 nm CMOS Process.
    Wang, Tianyu ; Wei, Da ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 57 (2022-08-01), Heft 8, S. 2521-2531
    Online academicJournal
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    A 3.8- µ W 1.5-NEF 15-GΩ Total Input Impedance Chopper Stabilized Amplifier With Auto-Calibrated Dual Positive Feedback in 110-nm CMOS.
    Park, Yongjae ; Cha, Ji-Hyoung ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 57 (2022-08-01), Heft 8, S. 2449-2461
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    A High-Linearity, 30 GS/s Track-and-Hold Amplifier and Time Interleaved Sample-and-Hold in an InP-on-CMOS Process.
    Madsen, Kristian N. ; Gathman, Timothy D. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 50 (2015-11-01), Heft 11, S. 2692-2702
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    A Low-Power Reflection-Coefficient Sensor for 28-GHz Beamforming Transmitters in 22-nm FD-SOI CMOS.
    Zhang, Yang ; Mangraviti, Giovanni ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021-12-01), Heft 12, S. 3704-3714
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    A 69-dB SNDR 300-MS/s Two-Time Interleaved Pipelined SAR ADC in 16-nm CMOS FinFET With Capacitive Reference Stabilization.
    Martens, Ewout ; Hershberg, Benjamin ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 53 (2018-04-01), Heft 4, S. 1161-1171
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    A 3.2 ppm/°C Second-Order Temperature Compensated CMOS On-Chip Oscillator Using Voltage Ratio Adjusting Technique.
    Zhang, Guoqiang ; Yayama, Kosuke ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 53 (2018-04-01), Heft 4, S. 1184-1191
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    Energy-Efficient Motion-Triggered IoT CMOS Image Sensor With Capacitor Array-Assisted Charge-Injection SAR ADC.
    Choo, Kyojin David ; Xu, Li ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019-11-01), Heft 11, S. 2921-2931
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    A 5.2-Mpixel 88.4-dB DR 12-in CMOS X-Ray Detector With 16-bit Column-Parallel Continuous-Time Incremental ΔΣ ADCs.
    Lee, Sangwoo ; Jeong, Jinwoong ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 55 (2020-11-01), Heft 11, S. 2878-2888
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    A 1.2-GS/s 8-bit Two-Step SAR ADC in 65-nm CMOS With Passive Residue Transfer.
    Huang, Hai ; Du, Ling ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 52 (2017-06-01), Heft 6, S. 1551-1562
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    A 950 MHz Clock 47.5 MHz BW 4.7 mW 67 dB SNDR Discrete Time Delta Sigma ADC Leveraging Ring Amplification and Split-Source Comparator Based Quantizer in 28 nm CMOS.
    Santana, Lucas Moura ; Martens, Ewout ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 57 (2022-07-01), Heft 7, S. 2068-2077
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    Multi-Watt, 1-GHz CMOS Circulator Based on Switched-Capacitor Clock Boosting.
    Nagulu, Aravind ; Chen, Tingjun ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 55 (2020-12-01), Heft 12, S. 3308-3321
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