Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
57 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

57 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    A Hybrid Boost Converter With Standard CMOS-Compatible 14-V Output for an Ultrasound Imaging System
    Guo, J. ; Li, J. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 6 (2023), S. 125-128
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Integrated Stacked Parallel Plate Shunt Capacitor for Millimeter-Wave Systems in Low-Cost Highly Integrated CMOS Technologies
    El-Chaar, M. ; Podevin, F. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 5 (2022), S. 114-117
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Fully Integrated Cryo-CMOS Spin-to-Digital Readout for Semiconductor Qubits
    Castriotta, M. ; Prati, E. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 6 (2023), S. 185-188
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    An Energy-Efficient Capacitively Biased Diode-Based Temperature Sensor in 55-nm CMOS
    Tang, Z. ; Fang, Y. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 4 (2021), S. 210-213
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    A 40-m Range 90-frames/s CMOS Time-of-Flight Sensor Using SPAD and In-Pixel Time-Gated Pulse Counter
    Park, B. ; Park, I. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 3 (2020), S. 422-425
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A Reconfigurable Switched Capacitor DC–DC Converter With 1.9–6.3-V Input Voltage Range and 85% Peak Efficiency in 28-nm CMOS
    Marin, G. ; Cherniak, K. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 3 (2020), S. 106-109
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Three-Winding Transformer-Based 60-GHz DCO With −185.1-dB FoM in 40-nm CMOS
    Fang, Y. ; Staszewski, R.B. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 5 (2022), S. 1-4
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A 1.55-mW 2-GHz ERBW 7-b 800-MS/s Pipelined SAR ADC in 28-nm CMOS Using a 7T Dynamic Residue Amplifier
    Kim, H. ; Kim, S. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 5 (2022), S. 102-105
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Deterministic Dithering-Based 12-b 8-MS/s SAR ADC in 0.18-μm CMOS
    Konwar, S. ; Roy, H. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 5 (2022), S. 243-246
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A 340-nA-Quiescent 80-mA-Load 0.02-fs-FOM Active-Capacitor-Based Low-Dropout Regulator in Standard 0.18-μm CMOS
    Han, W. ; Lee, H.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 4 (2021), S. 125-128
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A Fully Integrated DAC for CMOS Position-Based Charge Qubits with Single-Electron Detector Loopback Testing
    Esmailiyan, A. ; Wang, H. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 3 (2020), S. 354-357
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 112-Gb/s PAM-4 Transmitter With a 2-Tap Fractional-Spaced FFE in 65-nm CMOS
    Ding, H. ; Zheng, X. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 2 (2019-09-01), Heft 9, S. 195-198
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A 130-nm CMOS Dual Input-Polarity DC–DC Converter for Low-Power Applications
    Gatti, A. ; Spiazzi, G. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 2 (2019-09-01), Heft 9, S. 211-214
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    An Adaptive-Resolution Quasi-Level-Crossing-Sampling ADC Based on Residue Quantization in 28-nm CMOS
    Wang, H. ; Schembari, F. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 1 (2018-08-01), Heft 8, S. 178-181
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A 180 mV 81.2%-Efficient Switched-Capacitor Voltage Doubler for IoT Using Self-Biasing Deep N-Well in 16-nm CMOS FinFET
    Lin, Y. ; Pourmousavian, N. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 1 (2018-07-01), Heft 7, S. 158-161
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A 91-GHz Fundamental VCO With 6.1% DC-to-RF Efficiency and 4.5 dBm Output Power in 0.13- $\mu$ m CMOS
    Tarkeshdouz, A. ; Mostajeran, A. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 1 (2018-04-01), Heft 4, S. 102-102
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A Compact Integrated High-Voltage Pulser Insensitive to Supply Transients for 3-D Miniature Ultrasound Probes
    Hopf, Y.M. ; Ossenkoppele, B. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 5 (2022), S. 166-169
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 48-dB SFDR, 43-dB SNDR, 50-GS/s 9-b 2×-Interleaved Nyquist DAC in Intel 16
    Chandrakumar, H. ; Brown, T.W. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 5 (2022), S. 239-242
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A Reconfigurable Passive Switched-Capacitor TX RF Front End With −57 dB ACLR2
    Vasilakopoulos, K. ; Liscidini, A.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 3 (2020), S. 294-297
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    An Accurate 0.55-V 2.6-μW Voltage-Level Detector
    Feldman, A. ; Shor, J.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 3 (2020), S. 166-169
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -