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    Une caractérisation de technologie CMOS à l’usage d’étudiants en cycle d’ingénieur
    Stefanelli, Bruno
    In: Annales Des Télécommunications, Jg. 46 (1991-09-01), Heft 9-10, S. 496-500
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Improving the optical performances of CMOS image sensors in the Near Infrared ; Etude de l'amélioration des performances optiques des capteurs d'images CMOS dans le proche infrarouge
    Bardonnet, Félix ; Microélectronics, ST ; et al.
    In: https://pastel.hal.science/tel-04114481 ; Optique [physics.optics]. Université Paris-Saclay, 2023. Français. ⟨NNT : 2023UPASP025⟩, 2023
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Etude de l'amélioration des performances optiques des capteurs d'images CMOS dans le proche infrarouge ; Improving the optical performances of CMOS image sensors in the Near Infrared
    Bardonnet, Félix ; Paris-Saclay, université ; et al.
    2023
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Développement et caractérisation de nouveaux procédés de passivation pour les capteurs d'images CMOS
    Ait Fqir Ali, Fatima Zahra
    2013
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Capteurs d'images CMOS à haute résolution à Tranchées Profondes Capacitives
    Ramadout, Benoit
    2010
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Développement d'un procédé innovant pour le remplissage des tranchées d'isolation entre transistors des technologies CMOS avancées
    Tavernier, Aurélien
    2014
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    Caractérisation et modélisation de la fiabilité des transistors et circuits millimétriques conçus en technologies BiCMOS et CMOS
    Ighilahriz, Salim
    2014
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    Caractérisation et modélisation de UTBB MOSFET sur SOI pour les technologies CMOS avancées et applications en simulations circuits
    Karatsori, Theano ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ) ; et al.
    2017
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Ultra-thin gate oxide reliability under Electrostatic Discharge (ESD) in deep sub-micrometer CMOS technologies
    Ille, Adrien ; Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP) ; et al.
    2008
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Fiabilité des oxydes de grille ultra-minces sous décharges électrostatiques dans les technologies CMOS fortement sub-microniques
    Ille, Adrien ; Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP) ; et al.
    2008
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Composants Passifs Intégrés en Technologie CMOS pour la Miniaturisation des Circuits RF
    Salimy, S. ; Challali, F. ; et al.
    In: Revue Méditerranéenne des Télécommunications; Vol. 1, No 1 (2011) ; 2458-6765, 2012
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Ultra-thin gate oxide reliability under Electrostatic Discharge (ESD) in deep sub-micrometer CMOS technologies ; Fiabilité des oxydes de grille ultra-minces sous décharges électrostatiques dans les technologies CMOS fortement sub-microniques
    Ille, Adrien ; Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-00407545 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Provence - Aix-Marseille I, 2008. Français. ⟨NNT : ⟩, 2008
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Developpement of an innovative process for shallow trench isolation gap-filling of advanced CMOS technology nodes ; Développement d'un procédé innovant pour le remplissage des tranchées d'isolation entre transistors des technologies CMOS avancées
    Tavernier, Aurélien ; Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-00987019 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Grenoble, 2014. Français. ⟨NNT : 2014GRENT005⟩, 2014
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Développement d'un procédé innovant pour le remplissage des tranchées d'isolation entre transistors des technologies CMOS avancées ; Developpement of an innovative process for shallow trench isolation gap-filling of advanced CMOS technology nodes
    Tavernier, Aurélien ; Grenoble ; et al.
    2014
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Electrical characterization and modeling of advanced nano-scale ultra thin body and buried oxide MOSFETs and application in circuit simulations ; Caractérisation et modélisation de UTBB MOSFET sur SOI pour les technologies CMOS avancées et applications en simulations circuits
    Karatsori, Theano ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-01690112 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes; Université Aristote (Thessalonique, Grèce), 2017. Français. ⟨NNT : 2017GREAT035⟩, 2017
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Caractérisation et modélisation de UTBB MOSFET sur SOI pour les technologies CMOS avancées et applications en simulations circuits ; Electrical characterization and modeling of advanced nano-scale ultra thin body and buried oxide MOSFETs and application in circuit simulations
    Karatsori, Theano ; Université Grenoble Alpes (ComUE) ; et al.
    2017
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Reliability characterization and modeling of transistors and millimetric waves circuits designed in BiCMOS and CMOS technologies ; Caractérisation et modélisation de la fiabilité des transistors et circuits millimétriques conçus en technologies BiCMOS et CMOS
    Ighilahriz, Salim ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-01060162 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Grenoble, 2014. Français. ⟨NNT : 2014GRENT016⟩, 2014
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Caractérisation et modélisation de la fiabilité des transistors et circuits millimétriques conçus en technologies BiCMOS et CMOS ; Reliability characterization and modeling of transistors and millimetric waves circuits designed in BiCMOS and CMOS technologies
    Ighilahriz, Salim ; Grenoble ; et al.
    2014
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Développement et caractérisation de nouveaux procédés de passivation pour les capteurs d'images CMOS ; Development and characterization of new passivation processes for CMOS images sensors
    Ait Fqir Ali, Fatima Zahra ; 1, Lyon ; et al.
    2013
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Capteurs d’images CMOS à haute résolution à Tranchées Profondes Capacitives ; High-resolution CMOS image sensor integrating Capacitive Deep Trench Isolation
    Ramadout, Benoit ; 1, Lyon ; et al.
    2010
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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