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84 Treffer

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    Contribution à l'étude expérimentale des résistances d'accès dans les transistors de dimensions deca-nanométrique des technologies CMOS FD-SOI
    Henry, Jean-Baptiste
    2018
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    Optimisation des mémoires résistives OxRAM à base d'oxydes métalliques pour intégration comme mémoires embarquées dans un nœud technologique CMOS avancé
    Azzaz, Mourad
    2017
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Caractérisations électriques innovantes de capteurs d’image CMOS à l’aide de structures de test
    Doyen, Célestin ; Institut Supérieur de l'Aéronautique et de l'Espace ; et al.
    2021
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS
    Jouvet, Nicolas
    2012
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Caractérisations électriques innovantes de capteurs d’image CMOS à l’aide de structures de test ; Innovative electrical characterizations of CMOS image sensors using test structures
    Doyen, Célestin ; Toulouse, ISAE ; et al.
    2021
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Nanostructures d’oxyde d’indium pour les mémoires résistives RRAM intégrées en CMOS Back-End-Of-Line
    GUENERY, Pierre-Vincent ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; et al.
    2019
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Contribution to experimental study of access resistance in deca-nanometric CMOS FD-SOI technologies transistors
    Henry, Jean-Baptiste ; STAR, ABES ; et al.
    2018
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Hybrid integration of single electron transistor on a CMOS technology node
    Jouvet , Nicolas ; Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ) ; et al.
    2012
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    DEVELOPMENT, PROCESS INTEGRATION AND MODELING OF THIN FILMS INTEGRATED PASSIVE COMPONENT IN CMOS TECHNOLOGY
    Salimy, Siamak ; Electronics, MHS ; et al.
    2010
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Extraction des paramètres électriques sur les transistors CMOS de technologies avancées
    Fleury, Dominique ; Cros, Antoine ; et al.
    In: Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique ; https://hal.science/hal-00465795 ; Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, May 2007, Lille, France, 2007
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    DEVELOPMENT, PROCESS INTEGRATION AND MODELING OF THIN FILMS INTEGRATED PASSIVE COMPONENT IN CMOS TECHNOLOGY ; DÉVELOPPEMENT, INTÉGRATION ET MODÉLISATION DE COMPOSANTS PASSIFS INTÉGRÉS EN COUCHES MINCES DANS UNE FILIÈRE CMOS
    Salimy, Siamak ; Electronics, MHS ; et al.
    In: https://hal.science/tel-01108673 ; Electronique. UNIVERSITE DE NANTES, 2010. Français. ⟨NNT : ED503-084⟩, 2010
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Hybrid integration of single electron transistor on a CMOS technology node ; Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS
    Jouvet, Nicolas ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-00863770 ; Autre. INSA de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2012. Français. ⟨NNT : 2012ISAL0114⟩, 2012
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS ; Hybrid integration of single electron transistor on a CMOS technology node
    Jouvet, Nicolas ; Lyon, INSA ; et al.
    2012
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Indium oxide nanoparticles for resistive non-volatile memory compatible with CMOS Back-end off line. ; Nanostructures d’oxyde d’indium pour les mémoires résistives RRAM intégrées en CMOS Back-End-Of-Line
    Guenery, Pierre-Vincent ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02936361 ; Electronique. Université de Lyon, 2019. Français. ⟨NNT : 2019LYSEI114⟩, 2019
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Nanostructures d’oxyde d’indium pour les mémoires résistives RRAM intégrées en CMOS Back-End-Of-Line ; Indium oxide nanoparticles for resistive non-volatile memory compatible with CMOS Back-end off line.
    Guenery, Pierre-Vincent ; Lyon ; et al.
    2019
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Contribution to experimental study of access resistance in deca-nanometric CMOS FD-SOI technologies transistors ; Contribution à l'étude expérimentale des résistances d'accès dans les transistors de dimensions deca-nanométrique des technologies CMOS FD-SOI
    Henry, Jean-Baptiste ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-01897472 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT039⟩, 2018
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Contribution à l'étude expérimentale des résistances d'accès dans les transistors de dimensions deca-nanométrique des technologies CMOS FD-SOI ; Contribution to experimental study of access resistance in deca-nanometric CMOS FD-SOI technologies transistors
    Henry, Jean-Baptiste ; Université Grenoble Alpes (ComUE) ; et al.
    2018
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Contribution à l'étude expérimentale du transport dans les transistors de dimensions déca-nanométriques des technologies CMOS sub-45nm
    Fleury, Dominique
    2009
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Contribution to the experimental study of transport in decananometric transistors of sub-45nm CMOS technologies
    Fleury, Dominique ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; et al.
    2009
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Contribution to the experimental study of transport in decananometric transistors of sub-45nm CMOS technologies ; Contribution à l'étude expérimentale du transport dans les transistors de dimensions déca-nanométriques des technologies CMOS sub-45nm
    Fleury, Dominique ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-00461948 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Institut National Polytechnique de Grenoble - INPG, 2009. Français. ⟨NNT : ⟩, 2009
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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