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    Hot-carrier-induced abnormal gm degradation in sub-0.1-μm-channel nMOSFETs/SIMOX with LDD structure
    OMURA, Y
    In: Microelectronic engineering, Jg. 45 (1999), Heft 1, S. 57-69
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    An analytical model for hot-carrier-induced degradation of deep-submicron n-channel LDD MOSFETs
    JUNG-SUK, GOO ; YOUNG-GWAN, KIM ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 38 (1995), Heft 6, S. 1191-1196
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    A novel hot carrier reliability monitor for LDD p-MOSFETs
    PAN, Y ; NG, K. K ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 37 (1994), Heft 12, S. 1961-1965
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Charge-pumping characteristics of virgin and stressed lightly-doped drain MOSFETs
    HABA, P
    In: Solid-state electronics, Jg. 38 (1995), Heft 4, S. 891-904
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Impact ionization rate of electrons for accurate simulation of substrate current in submicron devices
    SAMAR, SAHA ; CHUNE-SIN, YEH ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 36 (1993), Heft 10, S. 1429-1432
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Determination of gate-bias dependent source/drain series resistance and effective channel length for advanced MOS devices
    HO, C. S ; LO, Y. C ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 50 (2006), Heft 11-12, S. 1774-1779
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Current-voltage model of short-channel MOSFETs operated in the linear region
    JANG, S.-L ; HU, M.-C ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 38 (1995), Heft 6, S. 1239-1245
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Optical effects on the current-voltage characteristics of lightly doped drain silicon MOSFETS
    SHENG-LYANG, JANG ; YOUNG-SHYING, CHEN ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 36 (1993), Heft 5, S. 727-734
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -