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    High Temperature Characterization up to 450°C of MOSFETs and Basic Circuits Realized in a Silicon-on-Insulator (SOI) CMOS Technology
    GRELLA, K ; DREINER, S ; et al.
    In: Journal of microelectronics and electronic packaging, Jg. 10 (2013), Heft 2, S. 67-72
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Single Fermi Level Thin-Film CMOS on Glass: The Behavior of Enhancement-Mode PMOSFETs From Cutoff Through Accumulation
    NASSAR, Christopher James ; KOSIK WILLIAMS, Carlo A ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 56 (2009), Heft 9, S. 1974-1979
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Electrical integrity of state-of-the-art 0.13 μm SOI CMOS devices and circuits transferred for three-dimensional (3D) integrated circuit (IC) fabrication
    GUARINI, K. W ; TOPOL, A. W ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 943-945
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    150-GHz RF SOI-CMOS Technology in Ultrathin Regime on Organic Substrate
    DES ETANGS-LEVALLOIS, Aurélien Lecavelier ; DUBOIS, Emmanuel ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 11, S. 1510-1512
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A stacked CMOS technology on SOI substrate
    SHENGDONG, ZHANG ; RUQI, HAN ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 25 (2004), Heft 9, S. 661-663
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    High performance and highly reliable novel CMOS devices using accumulation mode multi-gate and fully depleted SOI MOSFETs
    CHENG, W ; TERAMOTO, A ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2105-2108
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    On the Variability in Planar FDSOI Technology: From MOSFETs to SRAM Cells : CHARACTERIZATION OF NANO CMOS VARIABIALITY BY SIMULATION AND MEASUREMENTS
    MAZURIER, Jérôme ; WEBER, Olivier ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 8, S. 2326-2336
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Sub-band structure engineering for advanced CMOS channels
    TAKAGI, Shin-Ichi ; MIZUNO, T ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 49 (2005), Heft 5, S. 684-694
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Modeling of strained CMOS on disposable SiGe dots : Shape impacts on electrical/thermal characteristics
    FRDGONBSE, Sébastien ; YAN, ZHUANG ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 52 (2008), Heft 6, S. 919-925
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Assessment of anomalous behavior in hydrodynamic simulation of CMOS bulk and partially depleted SOI devices
    MUNTEANU, D ; LE CARVAL, G
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 149 (2002), Heft 10, S. G574- (7S.)
    academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Impact of line-edge roughness on FinFET matching performance
    BARAVELLI, Emanuele ; DIXIT, Abhisek ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 9, S. 2466-2474
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Planar double-gate SOI MOS devices : Fabrication by wafer bonding over pre-patterned cavities and electrical characterization
    CHUNG, T. M ; OLBRECHTS, B ; et al.
    In: EUROSOI'06 Conference. Selected papers, Jg. 51 (2007), Heft 2, S. 231-238
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    DC Compact Model for SOI Tunnel Field-Effect Transistors
    BHUSHAN, Bharat ; NAYAK, Kaushik ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 59 (2012), Heft 10, S. 2635-2642
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    SOI versus bulk-silicon nanoscale FinFETs
    FOSSUM, Jerry G ; ZHENMING, ZHOU ; et al.
    In: Selected Full-Length Extended Papers from the EUROSOI 2009 Conference, Jg. 54 (2010), Heft 2, S. 86-89
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Physical Model of Noise Mechanisms in SOI and Bulk-Silicon MOSFETs for RF Applications
    ADAN, Alberto O ; KOYANAGI, Mitsumasa ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 55 (2008), Heft 3, S. 872-880
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Molybdenum gate technology for ultrathin-body MOSFETs and FinFETs
    HA, Daewon ; TAKEUCHI, Hideki ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 51 (2004), Heft 12, S. 1989-1996
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Technologie silicium sur isolant (SOI) / Silicon on insulator technology (SOI)
    CRISTOLOVEANU, Sorin ; BALESTRA, Francis
    In: Techniques de l'ingénieur. Electronique, Jg. 2 (2002), Heft E2380, S. E2380.1
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Device structure and electrical characteristics of strained-Si-on-insulator (strained-SOI) MOSFETs
    TAKAGI, S ; SUGIYAMA, N ; et al.
    In: European Materials Research Society (E-MRS) 2001, Spring Meeting, Symposium D: Second International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, Strasbourg, France, June 4-8th 2001, Jg. 89 (2002), Heft 1-3, S. 426-434
    Konferenz
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    How small can MOSFETs get ?
    RISCH, Lothar
    In: Advances in microelectronic device technology (Nanjing, 7-9 November 2001), 2001, S. 1-9
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Heterogeneously Integrated Vapor―Liquid―Solid Grown Silicon Probes/(111) and Silicon MOSFETs/(100)
    OKUGAWA, Akihiro ; MAYUMI, Kotaro ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 5, S. 683-685
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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