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    Electrical integrity of state-of-the-art 0.13 μm SOI CMOS devices and circuits transferred for three-dimensional (3D) integrated circuit (IC) fabrication
    GUARINI, K. W ; TOPOL, A. W ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 943-945
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Sub-band structure engineering for advanced CMOS channels
    TAKAGI, Shin-Ichi ; MIZUNO, T ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 49 (2005), Heft 5, S. 684-694
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Modeling of strained CMOS on disposable SiGe dots : Shape impacts on electrical/thermal characteristics
    FRDGONBSE, Sébastien ; YAN, ZHUANG ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 52 (2008), Heft 6, S. 919-925
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Technologie silicium sur isolant (SOI) / Silicon on insulator technology (SOI)
    CRISTOLOVEANU, Sorin ; BALESTRA, Francis
    In: Techniques de l'ingénieur. Electronique, Jg. 2 (2002), Heft E2380, S. E2380.1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Scaling of high-κ/metal-gate TriGate SOI nanowire transistors down to 10 nm width
    COQUAND, R ; BARRAUD, S ; et al.
    In: Selected extended papers from ULIS 2012 conference, Jg. 88 (2013), S. 32-36
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Improving bulk FinFET DC performance in comparison to SOI FinFET
    POLJAK, Mirko ; JOVANOVIC, Vladimir ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 86 (2009), Heft 10, S. 2078-2085
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    In-depth electrical characterization of sub-45 nm fully depleted strained SOI MOSFETs with TiN/HfO2 gate stack : Ultimate integration on silicon conference 2007
    FERUGLIO, S ; ANDRIEU, F ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 52 (2008), Heft 4, S. 489-497
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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