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    Three-color detectors for APS-CMOS image sensors employing a triple junctions
    MESTANZA, S. N. M ; MANERA, L. T ; et al.
    In: Microelectronics technology and devices SBMICRO 2003 (Sao Paulo, 8-11 September 2003), 2003, S. 428-436
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Improving cmos performance by AVD® grown high-k dielectrics and advanced metal electrodes
    WEBER, U ; BOISSIERE, O ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 293-300
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ultrathin plasma nitrided oxide gate dielectrics for sub-100 nm generation CMOS technology
    JEON, Joong ; YEH, Ping ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 287-292
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Enhancement of manufacturibility in polycrystalline silicon process by using disilane precursor at 65nm CMOS technology
    YUANNING, CHEN ; HAOWEN, BU ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices II (San Antonio TX, 10-12 May 2004), 2004, S. 244-251
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Impact of lanthanide contamination on ULSI CMOS
    TAYLOR, W. J ; LOVEJOY, L ; et al.
    In: High purity silicon VIII (Honolulu HI, 3-8 October 2004), 2004, S. 297-306
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Impact of STI width and spacing on the stress generation in deep submicron CMOS
    POYAI, A ; RITTAPORN, I ; et al.
    In: High purity silicon VIII (Honolulu HI, 3-8 October 2004), 2004, S. 307-316
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Si channel surface dependence of electrical characteristics in ultra-thin gate oxide CMOS
    MOMOSE, Hisayo Sasaki
    In: ULSI process integration III (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 361-374
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The reaction of Ni with Si-Ge : An overview and some new considerations
    ZHANG, S.-L
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 597-611
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Performance of nitrided Hf-silicate high-K gate dielectrics
    JEON, Joong ; QI, XIANG ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 451-457
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Development of 12 Å plasma nitrided gate dielectrics through characterization of process, physical and electrical parameters
    MINER, Gary ; KRAUS, Philip ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 251-264
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Charges in HFO2 ALD gate dielectrics
    BERSUKER, G ; ZEITZOFF, P. M ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 417-422
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    300 MM SOI for high volume manufacturing
    PFEIFFER, G ; HAAG, M ; et al.
    In: Silicon materials science and technology X (Denver CO, 7-12 May 2006), 2006, S. 167-181
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Thin HfxTiySixO films with varying Hf to Ti contents as candidates for high-k dielectrics
    BAUER, A. J ; PASKALEVA, A ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 125-132
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Structural and electrical properties of CVD-WNx thin films deposited on high-k materials
    ALLEGRET, S ; ROLLAND, G ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 324-330
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Structural and electrical characterization of zirconium oxide thin films deposited by MOCVD
    LISKER, M ; SILINSKAS, M ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 418-425
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Shallow doping of silicon from an adsorbed phosphorus surface layer
    KALKOFEN, Bodo ; LISKER, Marco ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 99-106
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Properties of the interfacial layer in the high-k gate stack and transistor performance
    BERSUKER, G ; PETERSON, J ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 141-145
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Properties of HftaxOy high-k layers deposited by ALCVD
    ZHAO, C ; RITTERSMA, Z. M ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 133-140
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Nb and NbN gate metallizations for gate stacks with high-k dielectrics
    SCHMIDT, Matthias ; LUDSTECK, Alexandra ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 311-318
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Metal gated self-aligned gate-forward nMOSFET with ≤0.8 nm EOT fabricated by in-situ Ar/O2 plasma oxidation of PVD Hf
    KOVESHNIKOV, Sergei ; TSAI, Wilman ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 274-281
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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