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306 Treffer

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    Nickel Silicide and Nickel Germanosilicide Processing in a Near-Isothermal Cavity: Sheet Resistance Curves for Blanket Ni/Si and Ni/SiGe Substrates and Electrical Data for CMOS Devices : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Malik, I. J. ; Ouaknine, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 451-458
    Konferenz
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    Gate Quality Al2O3 by Molecular-Atomic-Deposition (MAD) and its Potential Applications in III-V Semiconductor CMOS Technology : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Cui, S. ; Li, N. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 321-330
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Recent Advances in Search for Suitable High-k/Metal Gate Solutions to Replace SiON/Poly-Silicon Gate Stacks in CMOS Devices for 45nm and Beyond Technologies : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Linder, B. ; Paruchuri, V. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 287-294
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Integration Challenges for Advanced Process-Strained CMOS on Biaxial-Strained-SOI (SSOI) Substrates : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Wei, A. ; Duenkel, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 15-22
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Correlation of Local Strain in a TEM Sample and in the Bulk for a Recessed SiGe CMOS Structure : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Zhao, W. ; Duscher, G. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 23-30
    Konferenz
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    The Future of CMOS -- Limits and Opportunities : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Ning, T. H.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 3-14
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Impact of Work Function Optimized S/D Silicide Contact for High Current Drivability CMOS : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Nakao, Y. ; Kuroda, R. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 28 (2010), Heft 1, S. 315-324
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    High Mobility Channels for Ultimate CMOS : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Sadana, D. ; Koester, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 343-354
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Geometry Dependence of Poly-Si Oxidation and its Application to Self-Align, Maskless Process for Nano-scale Vertical CMOS Structures : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Cho, H. ; Kapur, P. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 403-414
    Konferenz
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    State-of-the-Art Characterization for 65 nm CMOS Processes and Beyond : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Hopstaken, M. ; Juhel, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 319-332
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ni, Pt and Yb Based Fully Silicided (FUSI) Gates for Scaled CMOS Technologies : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Kittl, J. A. ; Lauwers, A. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 233-246
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Challenges in Dual Workfunction Metal Gate CMOS Integration : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Lee, B. ; Song, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 263-274
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Stress Characterization of Polycrystalline Silicon for Advanced CMOS Technologies : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Chen, Y. ; Mercer, D. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 225-232
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Material and Integration Issues for Rare Earth Silicides as Gate and Diffusion Contacts in Advanced CMOS Technologies : Advanced gate stack, source-drain and channel engineering for si-based CMOS; new materials, processes, and equipment
    D Emic, C.P. ; Ohuchi, K. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 13 (2008), Heft 1, S. 389-396
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    CMOS Scaling For the Next Decade: Trends, Challenges and Opportunities : Advanced gate stack, source-drain and channel engineering for si-based CMOS; new materials, processes, and equipment
    Majhi, P. ; Oh, J. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 13 (2008), Heft 1, S. 253-262
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Si Nanowire CMOS Transistors and Circuits by Top-Down Technology Approach : Advanced gate stack, source-drain and channel engineering for si-based CMOS; new materials, processes, and equipment
    Balasubramanian, N. ; Singh, N. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 13 (2008), Heft 1, S. 201-212
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Strained CMOS Technology with Ge : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS: new materials, processes and equipment Session
    Chen, P. S. ; Lee, M. H. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY, Jg. 5 (2005), S. 487-496
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Si:C Epitaxial Wafer for Improved Sub-100nm CMOS Transistor Performance : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS: new materials, processes and equipment Session
    Standley, R. ; Mansoori, M. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY, Jg. 5 (2005), S. 535-541
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Improving CMOS performance by AVD® grown high-k dielectrics and advanced metal electrodes : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS: new materials, processes and equipment Session
    Weber, U. ; Boissiere, O. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY, Jg. 5 (2005), S. 293-300
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Materials Issues of Ni Fully Silicided (FUSI) Gates for CMOS Applications : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS: new materials, processes and equipment Session
    Kittl, J. A. ; Lauwers, A. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY, Jg. 5 (2005), S. 225-232
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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