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    XPS, UV-vis spectroscopy and AFM studies on removal mechanisms of Si-face SiC wafer chemical mechanical polishing (CMP)
    YAN, ZHOU ; GUOSHUN, PAN ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 316 (2014), S. 643-648
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    First observation on the feasibility of scratch formation by pad―particle mixture in CMP process
    SUNG, In-Ha ; HONG JIN, KIM ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 258 (2012), Heft 20, S. 8298-8306
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Polishing behavior of PS/CeO2 hybrid microspheres with controlled shell thickness on silicon dioxide CMP
    YANG, CHEN ; RENWEI, LONG
    In: Applied surface science, Jg. 257 (2011), Heft 20, S. 8679-8685
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effects of the ultrasonic flexural vibration on the interaction between the abrasive particles; pad and sapphire substrate during chemical mechanical polishing (CMP)
    WENHU, XU ; XINCHUN, LU ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 257 (2011), Heft 7, S. 2905-2911
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of post-copper CMP surfaces with scanning probe microscopy. Part 1: Surface leakage measurement with conductive atomic force microscopy
    DOMINGET, A ; FARKAS, J ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 252 (2006), Heft 22, S. 7760-7765
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ultrasonic flexural vibration assisted chemical mechanical polishing for sapphire substrate
    WENHU, XU ; XINCHUN, LU ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 256 (2010), Heft 12, S. 3936-3940
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
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