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    GaN growth on Si(111) substrate using oxidized AlAs as an intermediate layer.
    Kobayashi, N. P. ; Kobayashi, J. T. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 71 (1997-12-15), S. 3569-3571
    Online academicJournal
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    Air-bridged lateral growth of crack-free Al0.24Ga0.76N on highly relaxed porous GaN.
    Qhalid Fareed, R. S. ; Adivarahan, V. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 84 (2004-02-02), Heft 5, S. 696-698
    Online academicJournal
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    GaN homoepitaxy on freestanding (11̄00) oriented GaN substrates.
    Chen, C. Q. ; Gaevski, M. E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 81 (2002-10-21), Heft 17, S. 3194-3196
    Online academicJournal
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    Observation of crystallographic wing tilt in cantilever epitaxy of GaN on silicon carbide and silicon (111) substrates.
    Katona, T. M. ; Craven, M. D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 79 (2001-10-29), Heft 18, S. 2907-2909
    Online academicJournal
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    Spatially resolved band-edge emission from partially coalesced GaN pyramids prepared by epitaxial lateral overgrowth.
    Li, X. ; Bohn, P. W. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 76 (2000-05-22), Heft 21, S. 3031-3033
    Online academicJournal
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    High-quality coalescence of laterally overgrown GaN stripes on GaN/sapphire seed layers.
    Fini, P. ; Zhao, L. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 75 (1999-09-20), Heft 12, S. 1706-1708
    Online academicJournal
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    GaN homoepitaxial layers grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Leszczynski, M. ; Beaumont, B. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 75 (1999-08-30), Heft 9, S. 1276-1278
    Online academicJournal
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    Observation of growth modes during metal-organic chemical vapor deposition of GaN.
    Stephenson, G. B. ; Eastman, J. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 74 (1999-05-31), Heft 22, S. 3326-3328
    Online academicJournal
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    Occurrence of cubic GaN and strain relaxation in GaN buffer layers grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy on (0001) sapphire substrates.
    Cheng, Lisen ; Zhou, Kuan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 74 (1999-02-01), Heft 5, S. 661-663
    Online academicJournal
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    Microstructure of GaN laterally overgrown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Marchand, H. ; Wu, X. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 73 (1998-08-10), Heft 6, S. 747-749
    Online academicJournal
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    Optical memory effect in GaN epitaxial films.
    Joshkin, V. A. ; Roberts, J. C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 71 (1997-07-14), S. 234-236
    Online academicJournal
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    Size-dependent photoconductivity and dark conductivity of m-axial GaN nanowires with small critical diameter.
    Chen, Hsin-Yi ; Chen, Reui-San ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 95 (2009-10-05), Heft 14, S. 143123-143123
    Online academicJournal
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    Demonstration of nonpolar a-plane InGaN/GaN light emitting diode on r-plane sapphire substrate.
    Hwang, Sung-Min ; Seo, Yong Gon ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 95 (2009-08-17), Heft 7, S. 071101-71101
    Online academicJournal
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    Spontaneous transition in preferred orientation of GaN domains grown on r-plane sapphire substrate from [112̄0] to [0001].
    Lee, Hyun-Jae ; Ha, Jun-Seok ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 94 (2009-03-09), Heft 10, S. 102103-102103
    Online academicJournal
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    Surface potential of n- and p-type GaN measured by Kelvin force microscopy.
    Barbet, S. ; Aubry, R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 93 (2008-11-24), Heft 21, S. 212107-212107
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    Transmission electron microscopy studies of regrown GaN Ohmic contacts on patterned substrates for metal oxide semiconductor field effect transistor applications.
    Saripalli, Y. N. ; Pei, L. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-05-14), Heft 20, S. 204106-204106
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    Defect reduction in (112̄0) a-plane GaN by two-stage epitaxial lateral overgrowth.
    Ni, X. ; Özgür, Ü ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-12-25), Heft 26, S. 262105-262105
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    Lattice vibrations in hexagonal Ga1-xMnxN epitaxial films on c-plane sapphire substrates by infrared reflectance spectra.
    Hu, Z. G. ; Strassburg, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 88 (2006-02-06), Heft 6, S. 061914-61914
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    Nanoscale lateral epitaxial overgrowth of GaN on Si (111)
    Zang, K. Y. ; Wang, Y. D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-11-07), Heft 19, S. 193106-193106
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    Effect of AlN interlayers on growth stress in GaN layers deposited on (111) Si.
    Raghavan, Srinivasan ; Weng, Xiaojun ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-10-03), Heft 14, S. 142101-142101
    Online academicJournal
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