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    Evaluation of strained Si/SiGe material for high performance CMOS.
    Olsen, S. H. ; O'Neill, A. G. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 19 (2004-06-01), Heft 6, S. 707-714
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Comprehensive material study of Ge grown by aspect ratio trapping on Si substrate.
    Stanchu, Hryhorii ; Kryvyi, Serhii ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 57 (2024-06-28), Heft 25, S. 1-9
    academicJournal
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    Lateral monolayer MoS<subscript>2</subscript> homojunction devices prepared by nitrogen plasma doping.
    Lu, Jingjing ; Guo, Zhenyu ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021), Heft 1, S. 1-7
    academicJournal
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    Thermal Stability of Thin Compressively Strained Ge Surface Channels Grown on Relaxed Si0.2Ge0.8 Reverse-Graded Buffers.
    Dobbie, A. ; Van Huy Nguyen ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 159 (2012-05-01), Heft 5, S. H490- (7S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermal Stability of Thin Compressively Strained Ge Surface Channels Grown on Relaxed Si<subscript>0.2</subscript>Ge<subscript>0.8</subscript> Reverse-Graded Buffers.
    Dobbie, A. ; Van Huy Nguyen ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 159 (2012-05-01), Heft 5, S. H490- (7S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication of GaAs-on-Insulator via Low Temperature Wafer Bonding and Sacrificial Etching of Ge by XeF2.
    Bai, Yu ; Cole, Garrett D. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 159 (2012-02-01), Heft 2, S. H183- (8S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication of GaAs-on-Insulator via Low Temperature Wafer Bonding and Sacrificial Etching of Ge by XeF<subscript>2</subscript>.
    Bai, Yu ; Cole, Garrett D. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 159 (2012-02-01), Heft 2, S. H183- (8S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    In situ boron-doped polycrystalline silicon films prepared by a novel low-pressure chemical vapour deposition method using a Si2H6-B2H6-N2 gas system.
    Nam, S. H. ; Kim, B. H. ; et al.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 29 (1996-04-14), S. 1088-1092
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Graphene field-effect transistors.
    Reddy, Dharmendar ; Register, Leonard F ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 44 (2011-08-10), Heft 31, S. 313001-313001
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Germanium MOS capacitors grown on Silicon using low temperature RF-PECVD.
    Dushaq, Ghada ; Rasras, Mahmoud ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 50 (2017-10-11), Heft 40, S. 1-1
    academicJournal
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    Non-conventional routes to SiGe:P/Si(100) materials and devices based on -SiH3 and -GeH3 derivatives of phosphorus: synthesis, electrical performance and optical behavior.
    Xu, Chi ; J D Gallagher ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 30 (2015-04-01), Heft 4, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Fabrication of graphene-based flexible devices utilizing a soft lithographic patterning method.
    Jung, Min Wook ; Myung, Sung ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 25 (2014-07-18), Heft 28, S. 1-1
    academicJournal
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    Fabrication of self-sealed circular nano/microfluidic channels in glass substrates.
    Chung, Chee ; Agarwal, Ajay ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 18 (2007-04-04), Heft 13, S. 35304-35304
    Online academicJournal
    Zugriff:
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