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    Growth mechanisms of GaN epitaxial films grown on ex situ low-temperature AlN templates on Si substrates by the combination methods of PLD and MOCVD
    Wang, Haiyan ; Wang, Wenliang ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 718 (2017-09-01), S. 28-35
    Online unknown
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    395 nm GaN-based near-ultraviolet light-emitting diodes on Si substrates with a high wall-plug efficiency of 520%@350 mA
    Li, Guoqiang ; Xia, Yu ; et al.
    In: Optics Express, Jg. 27 (2019-02-27), S. 7447-7447
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Fast growth of high quality AlN films on sapphire using a dislocation filtering layer for ultraviolet light-emitting diodes
    Chen, Changqing ; Zhang, Jun ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 21 (2019), S. 4072-4078
    Online unknown
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    Influence of nitridation process on characteristics of N-polar AlGaN films grown by MOCVD
    Dai, Qian ; Zhang, Xiong ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 64 (2017-06-01), S. 147-151
    Online unknown
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    Properties of GaN Film Grown on AlN/PSS Template by Hydride Vapor Phase Epitaxy
    Kim, Jin-Ho ; Lee, Hae-Yong ; et al.
    In: Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers, Jg. 29 (2016-06-01), S. 348-352
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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