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    Carrier loss in InGaAsP-InP lasers grown by hydride CVD.
    Ketelsen, L. J. P. ; Kazarinov, R. F.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 31 (1995-05-01), S. 811-813
    Online academicJournal
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    Spontaneous Emission and Characteristics of Staggered InGaN Quantum-Well Light-Emitting Diodes.
    Arif, Ronald A. ; Zhao, Hongping ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 44 (2008-06-01), Heft 5/6, S. 573-580
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Design and Demonstration of Novel QW Intermixing Scheme for the Integration of UTC-Type Photodiodes With QW-Based Components.
    Raring, James W. ; Skogen, Erik J. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 42 (2006-02-01), Heft 1/2, S. 171-181
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Study of Reverse Dark Current in 4H-SiC Avalanche Photodiodes.
    Guo, Xiangyi ; Beck, Ariane L. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 41 (2005-04-01), Heft 4, S. 562-567
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Er3+-doped Al2O3 thin films by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) exhibiting a 55-nm optical bandwidth.
    Chryssou, C. E. ; Pitt, C. W.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 34 (1998-02-01), S. 282-285
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Low dark current GaN avalanche photodiodes.
    Yang, B. ; Li, T. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 36 (2000-12-01), Heft 12, S. 1389-1391
    Online academicJournal
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    Absorption, Gain, and Laser Action in Bismuth-Doped Aluminosilicate Optical Fibers.
    Dvoyrin, Vladislav V. ; Kir'yanov, Alexander V. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 46 (2010-02-01), Heft 1/2, S. 182-190
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Characteristics of an AlGaInP-Based Light Emitting Diode With an Indium-Tin-Oxide (ITO) Direct Ohmic Contact Structure.
    Liu, Yi-Jung ; Yen, Chih-Hung ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 46 (2010-02-01), Heft 1/2, S. 246-252
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    UV Electroluminescence and Structure of n-ZnO/p-GaN Heterojunction LEDs Grown by Atomic Layer Deposition.
    Chen, Hsing-Chao ; Chen, Miin-Jang ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 46 (2010-02-01), Heft 1/2, S. 265-271
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Design and Fabrication of AlGaN-Based Resonant-Cavity-Enhanced p-i-n UV PDs.
    Nie, Chao ; Jiang, Ruo Lian ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 45 (2009-06-01), Heft 5/6, S. 575-578
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Enhanced Luminance Efficiency of Wafer-Bonded InGaN-GaN LEDs With Double-Side Textured Surfaces and Omnidirectional Reflectors.
    Horng, Ray-Hua ; Huang, Shao-Hua ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 44 (2008-11-01), Heft 11/12, S. 1116-1123
    Online academicJournal
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    Synthetic Diamond for Intracavity Thermal Management in Compact Solid-State Lasers.
    Millar, Patricia ; Birch, Rolf B. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 44 (2008-08-01), Heft 8, S. 709-717
    Online academicJournal
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    Influence of Facet Coating on the Dual Wavelength Operation of Asymmetric InGaAs-GaAs Quantum-Well Lasers.
    Jiang, Weihong ; Thompson, David A. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 41 (2005-05-01), Heft 5, S. 625-629
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Nanoscale Spatial Phase Modulation of GaN on a V-Grooved Si Substrate—Cubic Phase GaN on Si(001) for Monolithic Integration.
    Lee, S. C. ; Pattada, B. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 41 (2005-04-01), Heft 4, S. 596-605
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Modal properties of two-dimensional antiguided vertical-cavity surface-emitting laser arrays.
    Zhou, Delai ; Mawst, L. J. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 38 (2002-06-01), Heft 6, S. 652-664
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Ge-on-Si approaches to the detection of near-infrared light.
    Colace, Lorenzo ; Masini, Gianlorenzo ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 35 (1999-12-01), Heft 12, S. 1843-1852
    Online academicJournal
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    GaAs1-xPx/GaAs quantum-well structures with tensile-strained barriers.
    Agahi, Farid ; Lau, Kei May ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 30 (1994-02-01), S. 459-465
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Low threshold current, high quantum efficiency 1.5 μm GaInAs-GaInAsP GRIN-SCH single quantum well laser diodes.
    Matsumoto, Narihito ; Kasukawa, Akihiko ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 27 (1991-06-01), S. 1790-1793
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    High static performance GaInAs-GaInAsP SCH MQW 1.5 μm wavelength buried ridge stripe lasers.
    Kazmierski, Christophe ; Ougazzaden, Abdallah ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 27 (1991-06-01), S. 1794-1797
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    Room-temperature continuous-wave operation of AlGaAs-GaAs single-quantum-well lasers on Si by metalorganic chemical-vapor deposition using AlGaAs-AlGaP intermediate layers.
    Egawa, Takashi ; Soga, Tetsuo ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 27 (1991-06-01), S. 1798-1803
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