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    Effect of Carrier Gas Flow Rate on the Morphology and Luminescence Properties of CsPbBr 3 Microcrystals.
    Wang, Xiaoting ; You, Fangfang ; et al.
    In: Crystals (2073-4352), Jg. 12 (2022-04-01), Heft 4, S. 479-489
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Regrowth characteristics of semipolar (11–22) GaN epitaxial film on corroded semipolar GaN template.
    Li, Wenlong ; Wen, Ling ; et al.
    In: Micro & Nanostructures, Jg. 182 (2023-10-01), S. N.PAG
    academicJournal
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    Fast growth of high quality AlN films on sapphire using a dislocation filtering layer for ultraviolet light-emitting diodes.
    Zhang, Yi ; Long, Hanling ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 21 (2019-07-21), Heft 27, S. 4072-4078
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Influence of nitridation process on characteristics of N-polar AlGaN films grown by MOCVD.
    Wang, Xiaolei ; Zhang, Xiong ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 64 (2017-06-15), S. 147-151
    academicJournal
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    Growth mechanisms of GaN epitaxial films grown on ex situ low-temperature AlN templates on Si substrates by the combination methods of PLD and MOCVD
    Wang, Haiyan ; Wang, Wenliang ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 718 (2017-09-01), S. 28-35
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Growth of high-quality ZnO single crystals by seeded CVT using the newly designed ampoule
    Hong, Sang-Hwui ; Mikami, Makoto ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-07-01), Heft 14, S. 3609-3612
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Growth and characteristics of β-Ga2O3 thin films on sapphire (0001) by low pressure chemical vapour deposition.
    Jiao, Yujia ; Jiang, Qian ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 189 (2021-07-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Temperature dependence of the optical properties on GaInNP
    Hsu, S.H. ; Su, Y.K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 272 (2004-12-01), Heft 1-4, S. 765-771
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    395 nm GaN-based near-ultraviolet light-emitting diodes on Si substrates with a high wall-plug efficiency of 520%@350 mA
    Li, Guoqiang ; Xia, Yu ; et al.
    In: Optics Express, Jg. 27 (2019-02-27), S. 7447-7447
    Online unknown
    Zugriff:
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Correlation between structural and optical properties of a-plane GaN films grown on r-plane sapphire by metal organic chemical-vapor deposition
    Chang, Jiho ; Lee, Hyunjae ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, Jg. 28 (2010-05-01), S. 623-626
    Online unknown
    Zugriff:
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Effect of NH3 flow rate on m-plane GaN growth on m-plane SiC by metalorganic chemical vapor deposition
    Hyung Koun Cho ; Soon Yong Kwon ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-07-01), S. 3824-3829
    Online unknown
    Zugriff:
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Homoepitaxial growth of high-quality nonpolar ZnO films by MOCVD and evaluation of the homoepitaxial ZnO films by XRD measurement for asymmetric planes
    Kashiwaba, Y. ; Kashiwaba, Yasube ; et al.
    In: physica status solidi (a), Jg. 206 (2009-05-01), S. 944-947
    Online unknown
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    Facet-controlled three-step growth of high-quality GaN on sapphire substrates by mass-production-type metalorganic vapor phase epitaxy
    Koyama, Yoshihisa ; Nitta, Shugo ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 272 (2004-12-01), S. 438-443
    Online unknown
    Zugriff:
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Remarkable enhancement of 254‐280 nm deep ultraviolet emission from AlGaN quantum wells by using high‐quality AlN buffer on sapphire
    Yatabe, Tohru ; Ohashi, Tomoaki ; et al.
    In: physica status solidi c, Jg. 5 (2008-05-01), S. 2283-2285
    Online unknown
    Zugriff:
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    The crystallographic quality and band-edge transition of as-deposited PALE AlN films via metal organic chemical vapor deposition
    Muhammad Imran Mustafa Abdul Khudus ; Mohd Nazri Abd Rahman ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 32 (2021-01-02), S. 3211-3221
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Realization of 270 nm band AlGaN based UV‐LEDs on large area AlN templates with high crystalline quality
    Fujikawa, Sachie ; Hirayama, Hideki ; et al.
    In: physica status solidi c, Jg. 6 (2009-05-26)
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Properties of Si-Doped a-Plane GaN Grown with Different SiH4 Flow Rates
    Kim, Hogyoung ; Keun Man Song ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011-05-01), S. 055502-55502
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Fast growth of high quality AlN films on sapphire using a dislocation filtering layer for ultraviolet light-emitting diodes
    Chen, Changqing ; Zhang, Jun ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 21 (2019), S. 4072-4078
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes
    Zhang, Xiang ; Wei, Tongbo ; et al.
    In: Journal of Visualized Experiments, 2020-06-25
    Online unknown
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    Effects of sapphire substrates surface treatment on epitaxial ZnO thin films grown by MOCVD
    Wang, Yinzhen ; Chu, Benli ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 82 (2008-06-19), Heft 11, S. 1229-1232
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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