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    On the reaction scheme for Ti/TiN chemical vapor deposition (CVD) process using TiCl4
    MICHIZUKI, Y ; OKAMOTO, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 34 (1995), Heft 3A, S. L326- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    ECR plasma CVD in different magnetic field configurations
    MURATA, M ; UCHIDA, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 31 (1992), Heft 5A, S. 1499-1502
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Spectroscopic measurements of the production and the transport of CH radicals in a methane plasma used for the CVD of a-C:H
    TACHIBANA, K ; MUKAI, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 10, S. 2156-2164
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    ECR plasma CVD using a slotted lisitano coil
    KAWAI, Y ; KOMORI, A ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 11, S. 2487-2490
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    a-Si1-xOx:H films prepared by direct photo-CVD using CO2 gas
    OTSUBO, S ; SAITO, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 27 (1988), Heft 11, S. L1999- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ion beam analysis of the concentration and thermal release of hydrogen in silicon nitride films prepared by ECR plasma CVD method
    KUROI, T ; UMEZAWA, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 27 (1988), Heft 8, S. 1406-1410
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effects of applied magnetic fields on silicon oxide films formed by microwave plasma CVD
    FUKUDA, T ; SUZUKI, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 27 (1988), Heft 10, S. L1962- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermal stability of hydrogen in silicon nitride films prepared by ECR plasma CVD method
    HIRAO, T ; KAMADA, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 27 (1988), Heft 4, S. 528-533
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Plasma CVD of amorphous AlN from metalorganic Al sources and properties of the deposited films
    HASEGAWA, F ; TAKAHASHI, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 9, S. 1555-1560
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Microwave-excited plasma CVD of a-Si:H films utilizing a hydrogen plasma stream or by direct excitation of silane
    WATANABE, T ; TANAKA, M ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 8, S. 1215-1218
    academicJournal
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    Low temperature growth of SiO2 thin film by double-excitation photo-CVD
    INOUE, K ; MICHIMORI, M ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 6, S. 805-811
    academicJournal
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    The synthesis of diamond films at lower pressure and lower temperature using magneto-microwave plasma CVD
    SUZUKI, J.-I ; KAWARADA, H ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 28 (1989), Heft 2, S. L281- (3S.)
    academicJournal
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    SiO2 thin film prepared from Si3H8 and O2 by photo-CVD using double excitation
    OKUYAMA, M ; FUJIKI, N ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 6, S. L908- (3S.)
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Role of ions and radical species in silicon nitride deposition by ECR plasma CVD method
    HIRAO, T ; SETSUNE, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 5, S. 544-546
    academicJournal
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    Low temperature preparation of hydrogenated amorphous silicon by microwave electron-cyclotron-resonance plasma CVD
    KITAGAWA, M ; ISHIHARA, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 4, S. L231- (3S.)
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    The effect of oxidation source gas on epitaxial Al2O3 films on Si
    KIMURA, T ; SENGOKU, A ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 12A, S. 7126-7132
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Improved properties of silicon nitride films prepared by the catalytic chemical vapor deposition method
    OKADA, S ; MATSUMURA, H
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 11, S. 7035-7040
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Properties of a-Si:H film deposited by amplitude-modulated RF plasma chemical vapour deposition for thin film transistor
    NAKAHIGASHI, T ; HAYASHI, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 1A, S. 328-332
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Analyses of diamond nucleation processes on carbonized substrates
    LI, X ; MIYAGI, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 1AB, S. L8- (4S.)
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Effect of oxygen additive on microwave plasma for diamond film synthesis studied by the plasma impedance measurement
    MIYAKE, H ; SUGAHARA, K.-I ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 35 (1996), Heft 7B, S. L933- (4S.)
    academicJournal
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