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    Etude de la thermodiffusion binaire dans un réacteur CVD à paroi froide / Study of binary thermal diffusion in a cold wall CVD reactor
    CHEHOUANI, H ; BELGHIT, A ; et al.
    In: Entropie (Paris), Jg. 35 (1999), Heft 216, S. 14-20
    academicJournal
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    Une nouvelle technologie d'appareils de dépôt chimique en phase vapeur. Partie 2 : Modélisation du dépôt de silicium pur à partir de silane et de silicium dopé in situ au phosphore / A new technology for CVD reactors. Part 2 : Modeling of polycristalline silicon deposition from silane and in situ phosphorus doped polysilicon deposition
    VERGNES, Huges ; DUVERNEUIL, Patrick ; et al.
    In: Canadian journal of chemical engineering, Jg. 78 (2000), Heft 4, S. 803-814
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Dépôt chimique CVD de silicium dopé in situ au phosphore. Partie 2 : Analyse théorique et modélisation / CVD of in situ phosphorus doped silicon. Part 2: theoretical analysis and modeling
    TOUNSI, A ; SCHEID, E ; et al.
    In: Canadian journal of chemical engineering, Jg. 74 (1996), Heft 6, S. 950-959
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Dépôt chimique CVD de silicium dopé in situ au phosphore. Partie 1 : Etude expérimentale / CVD of in situ phosphorus doped silicon. Part 1: experimental study
    TOUNSI, A ; SCHEID, E ; et al.
    In: Canadian journal of chemical engineering, Jg. 74 (1996), Heft 6, S. 941-949
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Une nouvelle technologie d'appareils de dépôt chimique en phase vapeur. Partie 1 : Présentation et analyse des résultats expérimentaux / A new technology for CVD reactors. Part 1 : Presentation and analysis of experimental results
    VERGNES, Hugues ; DUVERNEUIL, Patrick ; et al.
    In: Canadian journal of chemical engineering, Jg. 78 (2000), Heft 4, S. 793-802
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Corrélations entre conditions d'élaboration et microstructure de dépôts CVD. Partie 1 : Position du problème et bilan des connaissances cinétiques / Correlations between operating conditions and microstructure of LPCVD films. Part 1 : Position of the problem and review of kinetic knowledge
    CAUSSAT, B ; DOLLET, A ; et al.
    In: Entropie (Paris), Jg. 35 (1999), Heft 216, S. 4-13
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Caractérisation de dépôts CVD de diamant par analyse d'images / Image analysis to characterize CVD diamond deposits
    BARRAT, S ; HAZOTTE, A ; et al.
    In: Analyse d'images et reconnaissance de formes en matériaux, Jg. 97 (2000), Heft 2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Elaboration d'une double couche B4C-SiC sur substrats de graphite par CVD réactive : prévisions thermodynamiques et résultats expérimentaux
    Elaboration of a B4C-SiC double layer on graphite substrates by reactive CVD: thermodynamical previsions and experimental results
    In: Journal of alloys and compounds, Jg. 185 (1992), Heft 1, S. 121-144
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Elaboration de films de diamant texturés par C.V.D. assistée par plasma Micro-onde : La maîtrise des conditions de dépôt permettant le contrôle de la qualité des films : Applications industrielles du chauffage par micro-ondes / Textured diamond films using microwave plasma-enhanced CVD
    SILVA, F ; CHIRON, A ; et al.
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 1996, Heft 6, S. 35-39
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Le diamant CVD pour les dispositifs à ondes acoustiques de surface (SAW) / CVD diamond for surface acoustic wave devices (SAW)
    ELMAZRIA, O ; ASSOUAR, M. B
    In: Le Vide (1995), Jg. 56 (2001), Heft 300
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Approche thermodynamique de la germination et de la morphologie cristalline. Effet de texture lors de la formation d'un film mince. Application au dépôt de diamant CVD / Thermodynamic analysis of cristal nucleation and morphology. Texture effect during thin films growth. CVD diamond
    BARRAT, S
    In: Le Vide (1995), Jg. 56 (2001), Heft 300
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Mise au point d'un système d'analyse in situ par spectrométrie de masse de la phase gazeuse pour le dépôt chimique en phase vapeur / On site gas mass spectrometer set-up for CVD reactor
    THOMAS, N ; BLANQUET, E
    In: Perméabilité - Etanchéité, Jg. 51 (1995), Heft 278
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Optimisation de la fabrication de films et de membranes en diamant par méthode CVD assistée par plasma micro-onde
    Optimization of diamond film and membrane manufacturing by microwave plasma assisted CVD method
    In: Le Vide (1995), Jg. 51 (1995), Heft 276
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Croissance épitaxique de GaAs1-xPx (0<x<0.6) par OM-CVD à partir du complexe ClEt2Ga•AsEt3 et de la diéthyl phosphine: une source de phosphore originale HPEt2
    Epitaxial growth of GaAs1-xPx (0<x<0.6) by OM-CVD from ClEt2Ga•AsEt3 complex and diethyl phosphine: an original phosphorus source HPEt2
    In: Journal of crystal growth, Jg. 62 (1983), Heft 3, S. 568-576
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Dépôt de TiC sur fibres de carbone par CVD réactive: influence des conditions expérimentales sur les caractéristiques des fibres obtenues
    TiC deposition on carbon fibers by reactive CVD: effect of experimental conditions on the characteristics of obtained fibers
    In: Journal of the less-common metals, Jg. 146 (1989), S. 1-15
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Applications des plasmas DECR aux problèmes d'adhésion / Applications of DECR plasmas for adhesion problems
    ARNAL, Y ; PELLETIER, J
    In: Fournisseurs & utilisateurs d'adhésifs (Bordeaux, 2-3 octobre 2002), 2002, S. 115-121
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Formation et caracterisation de films minces de nitrure de bore deposes par pecvd micro-ondes
    Formation and characterization of boron nitride thin films deposited by microwave PECVD
    In: Prospective en expérimentations : quelques aspects en sciences pour l'ingénieur : Nancy, 15 mai 2000, 2000, S. 59-64
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Croissance de films de diamant en plasma micro-onde : Influence de l'addition d'azote dans le melange gazeux / Growth of diamond films in a microwave plasma: effect of nitrogen addition in the gas mixture
    BENEDIC, F ; BELMAHI, M ; et al.
    In: Prospective en expérimentations : quelques aspects en sciences pour l'ingénieur : Nancy, 15 mai 2000, 2000, S. 65-70
    Konferenz
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    Caractérisations des films PECVD SiOxNy:H / Characteristic of SiOxNy:H PECVD films
    VIARD, J ; DURAND, J ; et al.
    In: Plasma - Surfaces - Adhésion, Jg. 54 (1999), Heft 294, S. 503-512
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Caractérisation de membranes PECVD hybrides organosiliciées pour la perméation gazeuse / Characterization of PECVD hybrid membranes organosiliconed for gas permeation
    ROUALDES, S ; VAN DER LEE, A ; et al.
    In: Plasma - Surfaces - Adhésion, Jg. 54 (1999), Heft 294, S. 491-502
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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