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    (Invited) White-Light-Induced Annihilation of Percolation Paths in SiO2 and High-k Dielectrics - Prospect for Gate Oxide Reliability Rejuvenation and Optical-Enabled Functions in CMOS Integrated Circuits
    Kwang Sing Yew ; Kawashima, Tomohito ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 69 (2015-09-08), S. 169-181
    Online unknown
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    High K Dielectrics for Future CMOS Devices
    Robertson, John
    In: ECS Transactions, Jg. 19 (2009-05-15), S. 579-591
    Online unknown
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    (Invited) The Role of Oxygen in the Development of Hf-Base High-k/Metal Gate Stacks for CMOS Technologies
    Cartier, Eduard A.
    In: ECS Transactions, Jg. 33 (2010-10-01), S. 83-94
    Online unknown
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    High-k Dielectrics and Interface Passivation for Ge and III/V Devices on Silicon for Advanced CMOS
    Houssa, Michel ; Dennis K.J. Lin ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 25 (2009-09-25), S. 51-65
    Online unknown
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    High-k Gate-Dielectrics Based on Titanium-Aluminum for Sub-32 Nm CMOS Technology
    Wada, Ricardo ; Doi, Ioshiaki ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 14 (2008-08-22), S. 295-302
    Online unknown
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    Recent Advances in Search for Suitable High-k/Metal Gate Solutions to Replace SiON/Poly-Silicon Gate Stacks in CMOS Devices for 45nm and Beyond Technologies
    Narayanan, Vijay ; Yingan, Wang ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 6 (2007-04-27), S. 287-294
    Online unknown
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    Atomic Layer Deposited Lanthanum-(Zirconate/Aluminate) Based High-K Dielectric Stacks For Future CMOS-Technology
    Abermann, S. ; Bethge, Ole ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 16 (2008-10-03), S. 273-283
    Online unknown
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    Atomic Layer Deposition of Hafnium Based Gate Dielectric Layers for CMOS Applications
    Meuris, Marc ; Caymax, Matty ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 11 (2007-09-28), S. 227-241
    Online unknown
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    Multi-Vibrational Hydrogen Release: A Dielectric Breakdown Model for Ultra-thin SiO2/SiON and High-K Stack
    Mora, Pascal ; Roy, David ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 19 (2009-05-15), S. 195-225
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    (Invited) Chemisorption Reaction Mechanisms for Atomic Layer Deposition of High-k Oxides on High Mobility Channels
    Sioncke, Sonja ; S. Van Elshocht ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 33 (2010-10-01), S. 343-353
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    Gate Electrode Material Effect on Characteristics of Zirconium-Doped Hafnium Oxide High-k MOS Capacitors
    Liu, Lingguang ; Lin, Wen-Shan ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 97 (2020-04-24), S. 143-149
    Online unknown
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    High-k Oxide Growth on III-V Surfaces: Chemical Bonding and MOSFET Performance
    Brennan, Barry ; Hinkle, Christopher L. ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 35 (2011-04-25), S. 403-413
    Online unknown
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    Dopant Segregated Schottky (DSS) Source/Drain for Germanium p-MOSFETs with Metal Gate/High-k Dielectric Stack
    Yeo, Yee-Chia ; Chi, Dongzhi ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 25 (2009-09-25), S. 405-410
    Online unknown
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    Robust HfxSi1-xO2 Gate Dielectric using Co-injection Atomic Layer Deposition
    Bartholomew, Larry ; Rao, Vivek ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 18 (2009-03-06), S. 617-623
    Online unknown
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