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    Atomic Layer Deposited Lanthanum-(Zirconate/Aluminate) Based High-K Dielectric Stacks For Future CMOS-Technology
    Abermann, S. ; Bethge, Ole ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 16 (2008-10-03), S. 273-283
    Online unknown
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    Selective Growth of B- and C-doped SiGe Layers in Unprocessed and Recessed Si Openings for pMOSFET Application
    Trybom, Erik ; Radamson, Henry H. ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 25 (2009-09-25), S. 81-88
    Online unknown
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    Low-Temperature Aluminum-Aluminum Wafer Bonding
    Hingerl, Kurt ; Malik, Nishant ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 75 (2016-08-24), S. 15-24
    Online unknown
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    Simultaneous Optimization of the Material Properties, Uniformity and Deposition Rate of Polycrystalline CVD and PECVD Silicon-Germanium Layers for MEMS Applications
    Rita Van Hoof ; Decoutere, Stefaan ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 16 (2008-10-03), S. 353-364
    Online unknown
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    X-Ray Photoelectron Spectroscopy Estimation of Cobalt Seed Layer Reactivity Toward Air Exposure: A Challenge?
    Lakhdari, Amine ; Mevellec, Vincent ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 97 (2020-04-24), S. 149-156
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    Enhancement of a Channel Strain via Dry Oxidation of Recessed Source/Drain Si1−xGex Structures
    Yoo, Jung-Ho ; Lee, Hoo-Jeong ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 41 (2011-10-04), S. 175-180
    Online unknown
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    Advanced Process Control of HfxSi1-xO2 Composition using Co-injection Atomic Layer Deposition
    Wang, Li ; Lazerand, Thierry ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 18 (2009-03-06), S. 567-574
    Online unknown
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    Effects of Interfacial Layers Formed by Plasma Oxidation and Nitridation on HfO2/Ge-MIS Properties
    Morita, Yukinori ; Nisizawa, Masayasu ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 3 (2006-10-20), S. 551-558
    Online unknown
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