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    Metal-covered van der Waals epitaxy of gallium nitride films on graphitic substrates by ECR-MBE
    Mouri, Shinichiro ; Arakawa, Shingo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 58 (2019-05-22), S. SC1053
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    Nitride-MBE system for in situ synchrotron X-ray measurements
    Ishikawa, Fumitaro ; Sasaki, Takuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-04-05), S. 05FB05
    Online unknown
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    Effects of buffer layer and back-surface field on MBE-grown InGaAsP/InGaAs solar cells
    Ming, Tan ; Wu, Yuanyuan ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-01-05), S. 022301-22301
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    Growth of high-indium-content InGaN:Mg thin films by MBE method with dual RF nitrogen plasma cells
    Murakami, Yoshifumi ; Matsunaga, Tatsuya ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 53 (2014-09-29), S. 11RC04
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    A New Silicon Field-Effect Transistors with Two-Hole-Transport-Mode (HTM) Channels Grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE)
    San Lein Wu ; Yan Ping Wang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 37 (1998-11-01), S. L1290
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    Enhanced Electron Mobility in the Inverted High Electron Mobility Transistor Structure by Two-Step Molecular Beam Epitaxy (MBE) Growth
    Washima, Mineo ; Kudo, Makoto ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 33 (1994-06-01), S. L830
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    MBE Growth and Characterization of Single Crystal and Bicrystal Permalloy (110) Thin Films
    Huang, Jung-Chun-Andrew ; Yu, Chin-Chung
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 39 (2000), S. 220-220
    Online unknown
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    High-Temperature MBE Growth of Si-Direct Current Heating Effects on (111) and (001) Vicinal Surfaces
    Doi, Takahisa ; Ichikawa, Masakazu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 32 (1993-05-01), S. 2047-2047
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    Improved Electron Mobility of Two-Dimensional Electron Gas Formed Area-Selectively in GaAs/AlGaAs Heterostructure by Focused Si Ion Beam Implantation and MBE Overgrowth
    Fujii, Toshio ; Arimoto, Hiroshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 30 (1991), S. L71
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    Dependence of the Carrier Concentration Profile at the Si MBE Layer/p-Si Substrate Interface on the Si Substrate Preparation Method
    Kanaya, Hiroyuki ; Hasegawa, Fumio ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-02-01), S. L195
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    MBE Grown GaSb, AlSb Crystals High Pressure Electrical Characterisation
    Dobaczewski, L. ; Peaker, Anthony R. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 32 (1993), S. 261-261
    Online unknown
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    Metalorganic MBE Growth of Nitrogen-doped ZnSe: TAN Doping and Nitrogen Plasma Doping
    Hoshiyama, Mitsuo ; Suemune, Ikuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 35 (1996-02-01), S. 1436-1436
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    Reflection High-Energy Electron Diffraction Intensity Oscillations during Si MBE Growth on HF-Treated Si(111) Surface
    Hasegawa, Fumio ; Kumagai, Yoshinao ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 31 (1992-08-01), S. L1103
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    Large Molecule Epitaxy on Single Crystal Metals, Insulators and Single Crystal and MBE-Grown Layered Semiconductors
    Lee, Paul A. ; Schuerlein, Thomas J. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 34 (1995-07-01), S. 3837-3837
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    Strain Relaxation in MBE-Grown Si1-xGex/Si(100) Heterostructures by Annealing
    Yaguchi, Hiroyuki ; Ito, Ryoichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 30 (1991-08-01), S. L1450
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    Gas Source MBE Growth of GaAs/AlGaAs Heterojunction Bipolar Transistor with a Carbon Doped Base Using Only Gaseous Sources
    Fujii, Toshio ; Ando, Hideyasu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 30 (1991-03-01), S. 464-464
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Numerical Simulation of Backgating Suppression in High Electron Mobility Transistors (HEMTs) with a Low Temperature Molecular Beam Epitaxy (MBE)-Grown Gallium Arsenide Buffer Layer between the Substrate and Active Layers
    Wai Shing Lau ; Leng Seow Tan ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 33 (1994-06-01), S. L826
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    Effect of Arsenic Pressure on Donor and Acceptor Concentration in Si Doped MBE GaAs Layers
    Neu, Gérard ; Chaix, Catherine ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-10-01), S. 1908-1908
    Online unknown
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    Substrate Misorientation Effect on Be Transport during MBE Growth of GaAs
    Kakibayashi, Hiroshi ; Kusano, Chuushiro ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-07-01), S. 1235-1235
    Online unknown
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    Influence of Substrate Misorientation on Surface Morphology of Be-Doped GaAs Grown by MBE
    Goto, Shigeo ; Kakibayashi, Hiroshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-07-01), S. L1046
    Online unknown
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