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    Positive bias temperature instability of HfO2-based gate stacks at reduced thermal budget for future CMOS technologies
    Collaert, Nadine ; Heyns, M.M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-09-14), S. 104101-104101
    Online unknown
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    Pulsed laser deposition of piezoelectric lead zirconate titanate thin films maintaining a post-CMOS compatible thermal budget
    Pantel, Daniel ; Schatz, Andreas ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 122 (2017-09-21), S. 114502-114502
    Online unknown
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    Tunable band alignment and dielectric constant of solution route fabricated Al/HfO2/Si gate stack for CMOS applications
    Mondal, Sandip ; Kumar, Arvind ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 121 (2017-02-28), S. 085301-85301
    Online unknown
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    Electrically active stacking faults in CMOS integrated circuits
    Marcus, R. B. ; Haszko, S. E. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 50 (1979-04-01), S. 2689-2696
    Online unknown
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    Nanoscale metal-InGaAs contacts with ultra-low specific contact resistivity: Improved interfacial quality and extraction methodology
    Kumar, Annie ; Masudy-Panah, Saeid ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 123 (2018-01-14), S. 024508-24508
    Online unknown
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    High-κ gate dielectrics: Current status and materials properties considerations
    Wilk, G. D. ; Anthony, J. M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 89 (2001-05-15), S. 5243-5275
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    Theoretical study of potential performance of armchair graphene nanoribbon field effect transistors: Dependence on channel dimensions and contact resistance
    Kim, Deok-kee ; Hur, Ji-Hyun
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 122 (2017-12-21), S. 234304-234304
    Online unknown
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    Superior endurance performance of nonvolatile memory devices based on discrete storage in surface-nitrided Si nanocrystals
    Huang, Xinfan ; Wang, Lingling ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016-01-28), S. 044507-44507
    Online unknown
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    Hole mobility enhancements and alloy scattering-limited mobility in tensile strained Si/SiGe surface channel metal–oxide–semiconductor field-effect transistors
    Antoniadis, Dimitri A. ; Lee, Minjoo L. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-10-01), S. 3745-3751
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Role of point defects and HfO2/TiN interface stoichiometry on effective work function modulation in ultra-scaled complementary metal–oxide–semiconductor devices
    Murali, Kota V. R. M. ; Kwon, Unoh ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 114 (2013-07-21), S. 034505-34505
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Gate length and temperature dependence of negative differential transconductance in silicon quantum well metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
    Lee, Mark ; Naquin, Clint ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 118 (2015-09-28), S. 124505-124505
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Electrochemically controlled transport of lithium through ultrathin SiO2
    Sadoway, Donald R. ; Ariel, Nava ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 98 (2005-07-15), S. 023516-23516
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    Novel metal gates for high κ applications
    Ganguli, Seshadri ; Chen, Michael S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 113 (2013-01-21), S. 034107-34107
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    Resistive switching with self-rectifying behavior in Cu/SiOx/Si structure fabricated by plasma-oxidation
    Zeng, Fei ; Liu, H. Y. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 113 (2013-06-28), S. 244502-244502
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    Effects of postdeposition annealing ambient on hysteresis in an Al2O3/GeO2 gate-dielectric stack on Ge
    Toyota, Hiroshi ; Otani, Yohei ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 110 (2011-07-15), S. 026108-26108
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    Bilayer metal gate electrodes with tunable work function: Mechanism and proposed model
    Birringer, Ryan P. ; Deal, Michael D. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 107 (2010-03-15), S. 063710-63710
    Online unknown
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    Maximizing performance for higher K gate dielectrics
    Robertson, John
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 104 (2008-12-15), S. 124111-124111
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    Determination of capture cross sections for as-grown electron traps in HfO2∕HfSiO stacks
    Govoreanu, Bogdan ; Groeseneken, Guido ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 100 (2006-11-01), S. 093716-93716
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    Indium arsenide quantum wire trigate metal oxide semiconductor field effect transistor
    Gilbert, Matthew J. ; Ferry, David K.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 99 (2006-03-01), S. 054503-54503
    Online unknown
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    Carrier‐density fluctuations and the IGFET mobility near threshold
    Brews, J. R.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 46 (1975-05-01), S. 2193-2203
    Online unknown
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