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    Challenges of nickel silicidation in CMOS technologies
    Jordan-Sweet, Jean ; Nummy, Karen A. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 137 (2015-04-01), S. 79-87
    Online unknown
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    CMOS-MEMS switches based on back-end metal layers
    Torres, F. ; Munoz-Gamarra, J. L. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 119 (2014-05-01), S. 127-130
    Online unknown
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    Ni(Pt)-silicide contacts on CMOS devices: Impact of substrate nature and Pt concentration on the phase formation
    Descoins, Marion ; Juhel, Marc ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 120 (2014-05-01), S. 34-40
    Online unknown
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    Resistive humidity microsensor with circuit manufactured by the CMOS process
    Yang, Ming-Zhi ; Lin, Wei-Yi ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 105 (2013-05-01), S. 81-85
    Online unknown
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    New carbon-based thermal stability improvement technique for NiPtSi used in CMOS technology
    Lauwers, Anne ; Togo, M. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 88 (2011-05-01), S. 578-582
    Online unknown
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    CMOS optoelectronic components for clock distribution
    Lear, Kevin L. ; Pownall, R. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 87 (2010-10-01), S. 1838-1845
    Online unknown
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    SiGe: An attractive material for post-CMOS processing of MEMS
    Sedky, Sherif
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007-11-01), S. 2491-2500
    Online unknown
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    Fin-height controlled TiN-gate FinFET CMOS based on experimental mobility
    Sakamoto, Kunihiro ; Masahrara, M. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007-09-01), S. 2101-2104
    Online unknown
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    CMOS gate oxide defects induced by pre-gate plasma process
    Carrere, J.-P. ; Garnier, P. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007-09-01), S. 2109-2112
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Hydrogen desorption and diffusion in PECVD silicon nitride. Application to passivation of CMOS active pixel sensors
    Benoit, Daniel ; Regolini, Jorge ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007-09-01), S. 2169-2172
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Band-edge metal gate materials for atomic-layer-deposited HfO2 for future CMOS technology
    Jo, Minseak ; Hwang, Hyunsang ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007-09-01), S. 2205-2208
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    An optimal silicidation technique for electrostatic discharge protection sub-100nm CMOS devices in VLSI circuit
    Yu, Shao-Ming ; Lee, Jam-Wen ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007-02-01), S. 213-217
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Investigation of NiAlN as gate-material for submicron CMOS technology
    Gottlob, H. D. B. ; Johnson Kwame Efavi ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 76 (2004-10-01), S. 354-359
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Transmission lines fabricated with CMOS interconnect technology
    Yibin, Zhang ; Jeffrey Su Yong Yong ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 72 (2004-04-01), S. 223-229
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Ni- and Co-based silicides for advanced CMOS applications
    Lindsay, Richard ; Maex, Karen ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 70 (2003-11-01), S. 158-165
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Fabrication of Bulk-Si FinFET using CMOS compatible process
    Yin, Huaxiang ; Song, Yi ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 94 (2012-06-01), S. 26-28
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    High quality strained Si/SiGe substrates for CMOS and optical devices
    Neumeier, K. ; Weber, Josef ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 82 (2005-12-01), S. 215-220
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Negative Bias Temperature Instability in CMOS Devices
    Varghese, Dhanoop ; Dalei, T. R. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 80 (2005-06-01), S. 114-121
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Investigation of Ni fully silicided gates for sub-45 nm CMOS technologies
    Pawlak, M. A. ; Kittl, Jorge A. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 76 (2004-10-01), S. 349-353
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Micromachined SU8 negative resist for MMIC applications on low resistivity CMOS substrates
    McCloy, David ; Thayne, Iain G. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, 2003-06-01, S. 417-421
    Online unknown
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