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    Ge integration on Si via rare earth oxide buffers: From MBE to CVD (Invited Paper)
    Costina, Ioan ; Weidner, G. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 86 (2009-07-01), S. 1615-1620
    Online unknown
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    Structural properties of semipolar InGaN/GaN quantum dot superlattices grown by plasma-assisted MBE
    Lotsari, A. ; Monroy, Eva ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 90 (2012-02-01), S. 108-111
    Online unknown
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    Enhanced photoluminescence from free-standing microstructures fabricated on MBE grown PbSe–PbSrSe MQW structure
    Shi, Zhisheng ; Mukherjee, Shaibal ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 85 (2008-04-01), S. 665-669
    Online unknown
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    In-situ MBE Si as passivating interlayer on GaAs for HfO2 MOSCAP’s: effect of GaAs surface reconstruction
    Marchiori, Chiara ; Germann, Roland ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007-09-01), S. 2142-2145
    Online unknown
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    Effect of boiling aqua regia on MOCVD and MBE p-type GaN surfaces and Cr/p-GaN interfaces
    Ladas, Spyridon ; Sygellou, Labrini ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 90 (2012-02-01), S. 115-117
    Online unknown
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    Characteristics of GdGaO grown by MBE
    Longo, P. ; Stanley, C.R. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 86 (2009-03-01), S. 244-248
    Online unknown
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    Pre-structuring of silicon substrates to investigate MBE-growth of SiGe layers
    Grützmacher, Detlev ; Hartmann, R. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 46 (1999-05-01), S. 275-278
    Online unknown
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    MBE-growth of a Ge–CoSi2–Si heterostructure for vertical metal–semiconductor–metal photodetectors
    Mantl, S. ; Buca, Dan ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 60 (2002), S. 191-196
    Online unknown
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    Numerical gate capacitance–voltage characteristics and electronic structure of MBE silicon delta-FETs
    Hipólito, O. ; Manzoli, José E.
    In: Microelectronic Engineering, 1998-08-01, S. 661-667
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Atom diffusion during MBE growth on patterned substrate
    Zhong, Zhantian ; Zhou, Joe X. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, 1998-08-01, S. 409-414
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Novel quantum wire and quantum dot structures on patterned high-index surfaces by hydrogen-assisted MBE
    R Richard Nötzel ; Ploog, Klaus H.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 47 (1999-06-01), S. 209-213
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Optical absorption and band gap shift of n-doped Al Ga1−As alloys grown by MBE
    A. Ferreira da Silva ; Persson, Clas ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, 1998-08-01, S. 423-429
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Spatial confinement of self-organized MBE-grown In Ga1−As quantum dots
    Quivy, A. A. ; Leite, José R.
    In: Microelectronic Engineering, 1998-08-01, S. 19-23
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    The influence of MBE-layer design on the high frequency performance of Si/SiGe HBTs
    Gruhle, Andreas ; Kasper, Erich ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 19 (1992-09-01), S. 435-438
    Online unknown
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    MBE growth and characterization of MODFET heterostructures using pseudomorphic InGaAs or InAs/GaAs superlattice channels
    Py, M.A. ; M. V. Baeta Moreira ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 15 (1991-10-01), S. 573-576
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Realization of InP-Based InGaAs single electron transistors on wires and dots grown by selective MBE
    Hasegawa, Hideki ; Okada, Hiroshi ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 47 (1999-06-01), S. 201-203
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Metamorphic HEMT on GaAs: MBE growth and device performance
    Favre, J. ; Druelle, Y. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 19 (1992-09-01), S. 317-320
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    MBE-grown (Ca, Sr) F2 layers on Si (111) and GaAs (111) : Electronic structure of interfaces
    Afanas'ev, V. V. ; Novikov, Sergei V. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 15 (1991-10-01), S. 139-142
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Nanostructuring of silicon substrates for the site-controlled growth of GaAs/In0.15Ga0.85As/GaAs nanostructures
    Usman, Muhammad ; Alzoubi, Tariq ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 97 (2012-09-01), S. 59-63
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Electroabsorption in a GaAs n-i-p-i structure with selective contacts fabricated by Focused Ion Molecular Beam Epitaxy
    Vijendran, S. ; Shields, Andrew J. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 53 (2000-06-01), S. 631-634
    Online unknown
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