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    Analysis of the composition of tantalum nitride in CMOS metallization trenches using parallel angle‐resolved XPS
    Gerlich, Lukas ; Wehring, Bettina ; et al.
    In: Surface and Interface Analysis, Jg. 52 (2020-10-04), S. 962-967
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    Doping Effects in CMOS‐compatible CoSi Thin Films for Thermoelectric and Sensor Applications
    Calvo, Jesús ; Hindenberg, Meike ; et al.
    In: Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie, Jg. 646 (2020-06-10), S. 1231-1237
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    Reduction of the thermal budget of AlGaN/GaN heterostructures grown on silicon: A step towards monolithic integration of GaN-HEMTs with CMOS
    Cordier, Yvon ; Maher, Hassan ; et al.
    In: physica status solidi (a), Jg. 212 (2015-01-15), S. 1145-1152
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    Fundamental Characteristics of Cyanide‐Related Multielement Molecular Ion‐Implanted Epitaxial Si Wafers for High‐Performance CMOS Image Sensors
    Kobayashi, Koji ; Kadono, Takeshi ; et al.
    In: physica status solidi (a), Jg. 216 (2019-09-01), S. 1970058-1970058
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    Bragg Soliton Fission: Bragg Soliton Compression and Fission on CMOS‐Compatible Ultra‐Silicon‐Rich Nitride (Laser Photonics Rev. 13(8)/2019)
    Tan, Dawn T. H. ; Blanco-Redondo, Andrea ; et al.
    In: Laser & Photonics Reviews, Jg. 13 (2019-08-01), S. 1970032-1970032
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    Bragg Soliton Compression and Fission on CMOS‐Compatible Ultra‐Silicon‐Rich Nitride
    Ng, Doris K. T. ; Ching Eng Png ; et al.
    In: Laser & Photonics Reviews, Jg. 13 (2019-07-02), S. 1900114-1900114
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    MoTe 2 CMOS Inverters: Controllable P‐ and N‐Type Conversion of MoTe 2 via Oxide Interfacial Layer for Logic Circuits (Small 28/2019)
    Yong Ju Park ; Jong Hyun Ahn ; et al.
    In: Small, Jg. 15 (2019-07-01), S. 1970147-1970147
    Online unknown
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    29.2: Silicon Ink-Based Poly Si CMOS TFT Fabricated on 300mm Stainless Steel Foil Substrates
    Chandra, Aditi ; Li, Joey ; et al.
    In: SID Symposium Digest of Technical Papers, Jg. 46 (2015-06-01), S. 419-422
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    Analysis of Nitric Oxide from Chemical Donors Using CMOS Platinum Microelectrodes
    Feeny, Rachel M. ; Wydallis, John B. ; et al.
    In: Electroanalysis, Jg. 27 (2015-02-20), S. 1104-1109
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    A 5.25-V-tolerant bidirectional I/O circuit in a 28-nm CMOS process
    Ahn, Keun-Seon ; Yoo, Changsik ; et al.
    In: International Journal of Circuit Theory and Applications, Jg. 43 (2014-03-05), S. 822-828
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    AlN/AlGaN/GaN buffer optimization on silicon (111): bow and crystal quality control for Si‐CMOS fabs
    DeVos, Brecht ; Kandaswamy, P. K. ; et al.
    In: physica status solidi c, Jg. 11 (2014-02-01), S. 450-453
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    69-2: Oxide-TFT Mobility Limits and CMOS Feasibility
    Stewart, Kevin A. ; Wager, John F.
    In: SID Symposium Digest of Technical Papers, Jg. 47 (2016-05-01), S. 944-946
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    An ultra-thin oxide sub-1 V CMOS bandgap voltage reference
    Washburn, C. ; Mukund, P.R. ; et al.
    In: International Journal of Circuit Theory and Applications, Jg. 42 (2013-01-03), S. 842-857
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Molecular and Atomic Hydrogen Diffusion Behavior by Reaction Kinetic Analysis in Projection Range of Hydrocarbon Molecular Ion for CMOS Image Sensors
    Suzuki, Akihiro ; Shigematsu, Satoshi ; et al.
    In: physica status solidi (a), Jg. 216 (2019-05-28), S. 1900175-1900175
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Low‐Conductance and Multilevel CMOS‐Integrated Nanoscale Oxide Memristors
    Zheng, Le ; Li, Can ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 5 (2019-05-02), S. 1800876-1800876
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Method and process flow for CMOS compatible photonics integration
    Moffatt, S. ; Wojcik, Greg ; et al.
    In: physica status solidi c, Jg. 8 (2011-05-26), S. 2969-2972
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    Ultrathin TiN Membranes as a Technology Platform for CMOS-Integrated MEMS and BioMEMS Devices
    Schulz, K. ; Ehwald, K.-E. ; et al.
    In: Advanced Functional Materials, Jg. 21 (2011-03-25), S. 1652-1656
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    The complexation of calcium(II) and lanthanide(III) cations with the phosphate substitute (carboxymethoxy)succinate (CMOS), as studied by magnetic resonance spectroscopy
    Bovée, W.M.M.J. ; Peters, J. A. ; et al.
    In: Recueil des Travaux Chimiques des Pays-Bas, Jg. 102 (2010-09-02), S. 255-263
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    P-122: Solution-processed Organic/Inorganic Hybrid CMOS-type Inverter
    Chung, Seungjun ; Kwon, Soon-Ki ; et al.
    In: SID Symposium Digest of Technical Papers, Jg. 42 (2011-06-01), S. 1563-1566
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    Lithography‐Free, Omnidirectional, CMOS‐Compatible AlCu Alloys for Thin‐Film Superabsorbers
    Mariama Rebello Sousa Dias ; Leite, Marina S. ; et al.
    In: Advanced Optical Materials, Jg. 6 (2017-12-13), S. 1700830-1700830
    Online unknown
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