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    Comparative Study on MOCVD Growth of a-Plane GaN Films on r-Plane Sapphire Substrates Using GaN, AlGaN, and AlN Buffer Layers
    Sun, Y. Q. ; He, Q. H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 38 (2009-06-11), S. 1938-1943
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Wie komme ich dran?
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    Effects of the Nitridation Process of (0001) Sapphire on Crystalline Quality of InN Grown by RF-MBE
    Nanishi, Yasushi ; Muto, D. ; et al.
    In: MRS Proceedings, Jg. 831 (2004)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Laser-Modified Chemical Beam Epitaxy of InGaAs/GaAs Multiple Quantum Wells Using Tris-Dimethylaminoarsenic
    Dong, H.K. ; Tu, Charles W. ; et al.
    In: MRS Proceedings, Jg. 354 (1994)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -