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    Mechanisms for enhancement of sensing performance in CMOS ISFET arrays using reactive ion etching
    Moser, Nicolas ; Georgiou, Pantelis ; et al.
    In: Sensors and Actuators B: Chemical, Jg. 292 (2019-08-01), S. 297-307
    Online unknown
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    CMOS back-end-of-line compatible ferroelectric tunnel junction devices
    Holzer, Marco ; Dubourdieu, Catherine ; et al.
    2021
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    Large-scale CMOS-compatible process for silicon nanowires growth and BC8 phase formation
    Quaranta, S. ; Irrera, Fernanda ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 186 (2021-12-01), S. 108093-108093
    Online unknown
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    Integrated on-chip solid state capacitor based on vertically aligned carbon nanofibers, grown using a CMOS temperature compatible process
    Andersson, Rickard ; Desmaris, Vincent ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 139 (2018), S. 75-79
    Online unknown
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    High Temperature Characterization of a CMOS Based Infra-red Source using Thermal-incandescence Microscopy
    Pandey, Prakash ; Udrea, Florin ; et al.
    2020
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    Poisson-Schrödinger simulation and analytical modeling of inversion charge in FDSOI MOSFET down to 0 K – Towards compact modeling for cryo CMOS application
    Vinet, Maud ; Aouad, M. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 186 (2021-12-01), S. 108126-108126
    Online unknown
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    Atomic layer deposited HfO2 ultra-thin films on different crystallographic orientation Ge for CMOS applications
    Mahajan, Ashok M. ; Patil, Vilas S. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 654 (2018-05-01), S. 30-37
    Online unknown
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    Impact of Channel, Stress-Relaxed Buffer, and S/D Si1−xGe x Stressor on the Performance of 7-nm FinFET CMOS Design with the Implementation of Stress Engineering
    Othman, N. A. F. ; Sharifah Wan Muhamad Hatta ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 47 (2018-01-16), S. 2337-2347
    Online unknown
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    Volltext (PDF)
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    Investigation of electrical characteristics of flexible CMOS devices fabricated with thickness-controlled spalling process
    Noh, Yeho ; Jung, Jaedong ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 173 (2020-11-01), S. 107901-107901
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    320 × 240 CMOS array for the spectral range of 3–5 μm based on PtSi photodiodes
    A. Yu. Nikiforov ; Belin, A. M. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 45 (2016-12-01), S. 474-477
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Physical vapor deposited 2D bismuth for CMOS technology
    Sun, Xinghao ; Tao, Li ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 41 (2020-08-01), S. 081001-81001
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Design of GGNMOS ESD protection device for radiation-hardened 0.18 μm CMOS process
    Wu, Jianwei ; Yu, Zongguang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 41 (2020-12-01), S. 122403-122403
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Study of drain-extended NMOS under electrostatic discharge stress in 28 nm and 40 nm CMOS process
    Jin, Hao ; Zhong, Lei ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 116 (2016-02-01), S. 80-87
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Attainment of dual-band edge work function by using a single metal gate and single high-k dielectric via ion implantation for HP CMOS device
    Xu, Gaobo ; Xiaoxun, Wang ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 115 (2016), S. 26-32
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Process Uniformity and Challenges of AlGaN/GaN MIS-HEMTs on 200-mm Si (111) Substrates Fabricated with CMOS-Compatible Process and Integration
    Selvaraj, S. L. ; Chen, Z. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 44 (2015-04-22), S. 2679-2685
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Reduction of the thermal budget of AlGaN/GaN heterostructures grown on silicon: A step towards monolithic integration of GaN-HEMTs with CMOS
    Cordier, Yvon ; Maher, Hassan ; et al.
    In: physica status solidi (a), Jg. 212 (2015-01-15), S. 1145-1152
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Operation voltage reduction and gain enhancement in organic CMOS inverters with the TTC/gelatin bilayer dielectric
    Hwang, Jenn-Chang ; Tsai, Jen-Ching ; et al.
    In: Organic Electronics, Jg. 16 (2015), S. 221-226
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Well-behaved 4H-SiC PMOSFET with LOCal oxidation of SiC (LOCOSiC) isolation structure and compromised gate oxide for Sub-10V SiC CMOS application
    Chia Lung Hung ; Bing Yue Tsui
    In: Solid-State Electronics, Jg. 166 (2020-04-01), S. 107774-107774
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Fundamental Characteristics of Cyanide‐Related Multielement Molecular Ion‐Implanted Epitaxial Si Wafers for High‐Performance CMOS Image Sensors
    Kobayashi, Koji ; Kadono, Takeshi ; et al.
    In: physica status solidi (a), Jg. 216 (2019-09-01), S. 1970058-1970058
    Online unknown
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    Optofluidic sensor system with Ge PIN photodetector for CMOS-compatible sensing
    Fischer, Inga A. ; Schulze, Jörg ; et al.
    In: Microfluidics and Nanofluidics, Jg. 21 (2017-10-26)
    Online unknown
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