Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
171 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Publikation

Sprache

171 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    LPE growth and optical characteristics of GaAs 1− x Sb x epilayer
    Wang, Yang ; Wang, Chao ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 463 (2017-04-01), S. 123-127
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Growth of high purity InGaAs LPE layers and their characterization
    Fornuto, Gerardo ; Chen, Ru-Chang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 102 (1990-05-01), S. 477-480
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Defect-induced polytype transformations in LPE grown SiC epilayers on (111) 3C-SiC seeds grown by VLS on 6H-SiC
    Chaussende, Didier ; Juillaguet, Sandrine ; et al.
    2009
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    LPE Growth and Scintillation Properties of (Zn,Mg)O Single Crystalline Film
    Yamaji, Akihiro ; Yokota, Yuui ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-10-01), S. 2286-2289
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Photoluminescence of Two-Dimensional MoS 2 Nanosheets Produced by Liquid Exfoliation
    Lukianov, Mikhail Y. ; Rubekina, Anna A. ; et al.
    In: Nanomaterials, Vol 13, Iss 1982, p 1982 (2023, 2023
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Influence of the GaAs substrate orientation on the composition of GaxIn1−xP (x≈0.5) grown by LPE and MOCVD
    Gorbatchev, A.Yu. ; Elyukhin, V. A. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 516 (2008-09-01), S. 8092-8095
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    LPE growth and characterization of mid-infrared InAs0.85Sb0.15 film on InAs substrate
    Hu, Song ; Deng, Huiyong ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 327 (2011-07-01), S. 63-67
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Surface morphology of LPE-growth GaSb quantum dots
    Yang, Wang ; Lv, Yingfei ; et al.
    In: SPIE Proceedings, 2015-04-13
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Effect of bismuth on liquid-phase epitaxy (LPE) grown GaAs layer using Ga–As–Bi melt
    Ramasamy, P. ; Saravanan, Shanmugam ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 200 (1999-04-01), S. 341-347
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Investigation of the 'composition-pulling or lattice-latching' effect in LPE
    Mishurnyi, V.A. ; Méndez-García, V.H. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 277 (2005-04-01), S. 138-142
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Novel Liquid Phase Epitaxy (LPE) Growth Method for Growing Large GaN Single Crystals: Introduction of the Flux Film Coated-Liquid Phase Epitaxy (FFC-LPE) Method
    Mori, Yusuke ; Omae, Kunimichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-08-01), S. L879- (3S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Structural and optical characteristics of InGaP layers grown on GaAs substrates by LPE technique
    Kosel, T. ; Silva-Andrade, F. ; et al.
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, 2004-06-01, S. 269-272
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High purity GaSb grown by LPE in a sapphire boat
    Olvera-Hernández, J. ; Navarro-Contreras, Hugo R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 208 (2000), S. 27-32
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Interface recombination and photoluminescence efficiency of thick (> 3 μm) InGaAs prepared by LPE with InAs-enriched composition
    Parry, M.K. ; Krier, Anthony
    In: Thin Solid Films, Jg. 259 (1995-04-01), S. 163-166
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Influence of arsenic concentration on the surface morphology and photoluminescence of LPE grown with high aluminium content
    Dutta, Partha S. ; Kumar, Vikram ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 160 (1996-03-01), S. 177-180
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    2 K photoluminescence of indirect GAP AlxGa1−xAs alloys grown under near-equilibrium conditions by LPE
    Purón-Sopeña, E ; Martínez-Criado, Gema ; et al.
    In: Optical Materials, Jg. 10 (1998-05-01), S. 137-142
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Investigation of erbium doping of InP and (Ga,In)(As,P) layers grown by LPE
    Haigh, J. ; Chatterjee, A.K.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 106 (1990-12-01), S. 537-542
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    LPE growth and characterization of InP/InGaAsP ridge-waveguide lasers at 1.3 μm-wavelength
    Bayer, W. ; Oelgart, G. ; et al.
    In: Crystal Research and Technology, Jg. 25 (1990-06-01), S. 637-652
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    nonconserving transition in heavily doped LPE grown n-type In0.5Ga0.5P
    Lee, H. J. ; Chung, Chan-Hwa ; et al.
    In: Solid State Communications, Jg. 82 (1992-04-01), S. 7-12
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Synthesis and properties of Ge-(Ge2)1−x (GaAs)x (0≤x≤1.0) epitaxial heterostructures grown by LPE from lead-based solution melts
    Sapaev, B.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 30 (2004-08-01), S. 657-659
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -